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  MOSFET  (25.085 ofertas entre 5.820.361 artículos)

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MOSFET Vishay IRF840HPBF, VDSS 500 V, ID 8 A, TO-220AB de 3 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 500 V Tipo de Encapsulado = TO-220AB Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 ...
Vishay
IRF840HPBF
a partir de € 0,798*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Vishay IRFP140PBF, VDSS 100 V, ID 31 A, TO-247AC (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 31 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = TO-247AC Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Vishay
IRFP140PBF
a partir de € 1,777*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Toshiba SSM3K37MFV,L3F(B, VDSS 20 V, ID 250 mA, SOT-723 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 250 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = SOT-723 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resiste...
Toshiba
SSM3K37MFV,L3F(B
a partir de € 312,00*
por 8.000 unidades
 
 envase
MOSFET Vishay IRFPG50PBF, VDSS 1.000 V, ID 6,1 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFPG50PBF
a partir de € 87,05*
por 25 unidades
 
 envase
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 62ns Tensión drenaje-fuente: -100V Corriente del drenaje: -18A Resistencia en estado de transferencia: 0,12Ω Tipo de transis...
IXYS
IXTP18P10T
a partir de € 1,18*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay IRF840PBF, VDSS 500 V, ID 8 A, TO-220AB de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 500 V Tipo de Encapsulado = TO-220AB Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 ...
Vishay
IRF840PBF
a partir de € 1,303*
por unidad
 
 unidades
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3,8A; Idm: -20A; 2W; SO8 (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: -20V Corriente del drenaje: -3,8A Resistencia en estado de transferencia: 0,12Ω Tipo de transistor: P-MOSFET x2 Poder disipado: ...
onsemi
FDS9933A
a partir de € 0,48*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Toshiba SSM6N7002KFU,LF(T, VDSS 60 V, ID 300 mA, US6 de 6 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 300 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = US6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Resistencia...
Toshiba
SSM6N7002KFU,LF(T
a partir de € 0,057*
por unidad
 
 unidades
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -1,7A; 1,25W; SO8 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: -20V Corriente del drenaje: -1,7A Tipo de transistor: P-MOSFET x2 Poder disipado: 1,25W Polarización: unipolar Cl...
Infineon
IRF7504TRPBF
a partir de € 0,17*
por unidad
 
 unidades
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO263 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 62ns Tensión drenaje-fuente: -100V Corriente del drenaje: -18A Resistencia en estado de transferencia: 0,12Ω Tipo de transisto...
IXYS
IXTA18P10T
a partir de € 1,32*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay IRF9610SPBF, VDSS 200 V, ID 1,8 A, TO-263 (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 1,8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 200 V Tipo de Encapsulado = TO-263 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Vishay
IRF9610SPBF
a partir de € 1,04*
por unidad
 
 unidades
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -6A; 1,6W; SO8 (2 ofertas) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: -20V Corriente del drenaje: -6A Resistencia en estado de transferencia: 48mΩ Tipo de transistor: P-MOSFET x2 Poder disipado: 1,6...
onsemi
FDS6875
a partir de € 0,547*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Toshiba TK090A65Z,S4X(S, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220SIS de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET TOSHIBA de canal N de silicio con propiedades de conmutación de alta velocidad y capacitancia inferior. Se utiliza principalmente en fuentes de alimentación conmutadas.Resistencia de cone...
Toshiba
TK090A65Z,S4X(S
a partir de € 4,223*
por unidad
 
 unidades
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 70ns Tensión drenaje-fuente: -100V Corriente del drenaje: -26A Resistencia en estado de transferencia: 90mΩ Tipo de transist...
IXYS
IXTP26P10T
a partir de € 2,00*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay IRFB9N65APBF, VDSS 650 V, ID 8,5 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFB9N65APBF
a partir de € 68,95*
por 50 unidades
 
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