Categorías
España
Español
Cuenta
Iniciar sesión/Registrarse		Cesta
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.181 ofertas entre 5.804.347 artículos)

Los filtros siguientes ayudan a reafinar la lista de artículos para la búsqueda "MOSFET" según sus necesidades:
Filtrar: Precio desdehasta€  Palabra 
Propiedades
☐
Vista general

"MOSFET"

Términos genéricos
Visualización
☐
☐
☐
☐
Imagen
Artículo ^v
Fabricante/N.º ^v
Precio ^v
Realizar un pedido
atrás
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 90A Resistencia en estado de transferencia: 16,9mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...
Vishay
SUP90142E-GE3
a partir de € 2,26*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 33W (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: PowerPAK® 1212-8 Tensión drenaje-fuente: 20V Corriente del drenaje: 35A Resistencia en estado de transferencia: 6,3mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder dis...
Vishay
SISH410DN-T1-GE3
a partir de € 0,58*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 35,4A; Idm: 80A (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: PowerPAK® SO8 Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 35,4A Resistencia en estado de transferencia: 33,4mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder di...
Vishay
SIR610DP-T1-RE3
a partir de € 3.669,33*
por 3.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 177A; Idm: 150A (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: PowerPAK® SO8 Tensión drenaje-fuente: 20V Corriente del drenaje: 177A Resistencia en estado de transferencia: 4,6mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disip...
Vishay
SIR800ADP-T1-RE3
a partir de € 1.270,11*
por 3.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 50A; Idm: 80A; 104W (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Tensión drenaje-fuente: 20V Corriente del drenaje: 50A Resistencia en estado de transferencia: 5,5mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 104W Polarización: ...
Vishay
SIE822DF-T1-E3
a partir de € 5.301,66*
por 3.000 unidades
 
 envase
YAGEO XSEMI XP3N5R0H MOSFET, N-CH, 30V, 62A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.005 ohm Gama de Producto XP3N5R0 Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Can...
YAGEO XSEMI
XP3N5R0H
a partir de € 0,552*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 100A; 33W (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: PowerPAK® 1212-8 Tensión drenaje-fuente: 20V Corriente del drenaje: 35A Resistencia en estado de transferencia: 5,4mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder dis...
Vishay
SIS454DN-T1-GE3
a partir de € 0,58*
por unidad
 
 unidad
YAGEO XSEMI XP3N9R5AH MOSFET, N-CH, 30V, 38.5A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0095 ohm Gama de Producto XP3N9R5A Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de C...
YAGEO XSEMI
XP3N9R5AH
a partir de € 0,414*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 90A Resistencia en estado de transferencia: 18mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 37...
Vishay
SUP90140E-GE3
a partir de € 2,26*
por unidad
 
 unidad
YAGEO XSEMI XP4N4R2H MOSFET, CANAL N, 40V, 83A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0042 ohm Gama de Producto XP4N4R2 Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Ca...
YAGEO XSEMI
XP4N4R2H
a partir de € 0,876*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 36W (2 ofertas) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: PowerPAK® SO8 Tensión drenaje-fuente: 20V Corriente del drenaje: 35A Resistencia en estado de transferencia: 6,3mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipa...
Vishay
SIR410DP-T1-GE3
a partir de € 0,573*
por unidad
 
 unidad
YAGEO XSEMI XP50AN1K5H MOSFET, CANAL N, 500V, 5A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.5 ohm Gama de Producto XP50AN1K5H Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Ca...
YAGEO XSEMI
XP50AN1K5H
a partir de € 0,589*
por unidad
 
 unidad
YAGEO XSEMI XP65SL380DH MOSFET, CANAL N, 650V, 10A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.38 ohm Gama de Producto XP65SL380D Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de C...
YAGEO XSEMI
XP65SL380DH
a partir de € 2,16*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 50A; Idm: 80A; 69W (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: PowerPAK® SO8 Tensión drenaje-fuente: 20V Corriente del drenaje: 50A Resistencia en estado de transferencia: 3,4mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipa...
Vishay
SIR800DP-T1-GE3
a partir de € 3.252,87*
por 3.000 unidades
 
 envase
YAGEO XSEMI XP6NA3R0H MOSFET, CANAL N, 60V, 126A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.003 ohm Gama de Producto XP6NA3R0 Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Ca...
YAGEO XSEMI
XP6NA3R0H
a partir de € 2,52*
por unidad
 
 unidad
siguiente
Artículo por página: 10   15   20   50   100    Página: atrás   1   ..   1481   1482   1483   1484   1485   1486   1487   1488   1489   1490   1491   ..   1679   siguiente

Búsqueda similar: FACT®Finder de Omikron
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.