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  MOSFET  (25.383 ofertas entre 5.869.078 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 96A; Idm: 418A; 416W (1 oferta) 
Fabricante: Wolfspeed(CREE) Montaje: THT Carcasa: TO247-4 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 96A Resistencia en estado de transferencia: 20mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder dis...
Wolfspeed
C3M0015065K
a partir de € 30,30*
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PANASONIC AQY2C1R3P1X REL MOSFET, SPST-NO, 0.1A, 200V, VSON (1 oferta) 
Capacitancia de Entrada/Salida Típica 1.2 pF Corriente de Fuga Máxima en Desconexión 0.01 µA Gama de Producto PhotoMOS Series Terminales del Relé Soldar Resistencia en Conducción Máx. 15 ohm Tipo d...
Panasonic
AQY2C1R3P1X
a partir de € 10,84*
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 unidad
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3,3kV; 26A; Idm: 100A; 381W (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247-4 Tensión drenaje-fuente: 3,3kV Corriente del drenaje: 26A Resistencia en estado de transferencia: 0,105Ω Tipo de transistor: N-MOSFET ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC080SMA330B4
a partir de € 110,70*
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 unidad
PANASONIC AQY2C2R2P1X MOSFET RELAY, SPST-NO, 0.3A, 60V, TSON (1 oferta) 
Capacitancia de Entrada/Salida Típica 1.2 pF Corriente de Fuga Máxima en Desconexión 0.01 µA Gama de Producto PhotoMOS Series Terminales del Relé Soldar Resistencia en Conducción Máx. 1.5 ohm Tipo ...
Panasonic
AQY2C2R2P1X
a partir de € 8,85*
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 unidad
PANASONIC AQY410EHA REL MOSFET, SPST, 350V, 0.13A, THT (2 ofertas) 
Capacitancia de Entrada/Salida Típica 0.8 pF Corriente de Fuga Máxima en Desconexión 10 µA Gama de Producto PhotoMOS AQY41 Terminales del Relé Gull Wing Resistencia en Conducción Máx. 25 ohm Tipo d...
Panasonic
AQY410EHA
a partir de € 2,39*
por unidad
 
 unidad
RENESAS NP20P04SLG-E1-AY MOSFET, CANAL P, 40V, 20A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.02 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...
Renesas
NP20P04SLG-E1-AY
a partir de € 0,581*
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 unidad
RENESAS NP50P04SDG-E1-AY MOSFET, CANAL P, 40V, 50A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0077 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...
Renesas
NP50P04SDG-E1-AY
a partir de € 0,94*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W (1 oferta) 
Fabricante: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 48A Resistencia en estado de transferencia: 50mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW065SIC049
a partir de € 7,62*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 105A; Idm: 320A (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 105A Resistencia en estado de transferencia: 4,5mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
ST Microelectronics
STP105N3LL
a partir de € 0,77*
por unidad
 
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ROHM BSM450D12P4G102 MOSFET, DOBLE CANAL N, 1.2KV, 447A, MOD (1 oferta) 
Tensión Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV Disipación de Potencia 1.45 kW Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4.8 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Tensión de Prueba Rds(on) - Res...
ROHM Semiconductor
BSM450D12P4G102
a partir de € 1.015,59*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 64A; Idm: 212A; 326W (1 oferta) 
Fabricante: LUGUANG ELECTRONIC Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 64A Resistencia en estado de transferencia: 55mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M30065B
a partir de € 13,48*
por unidad
 
 unidad
ROHM BSM600D12P4G103 MOSFET, DOBLE CANAL N, 1.2KV, 567A, MOD (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) - Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor - Gama de Producto - Número de Pines 11 Pines Configuración de Módulo MOSFET Medio Puente Tipo de Canal Canal N Doble Enca...
ROHM Semiconductor
BSM600D12P4G103
a partir de € 1.171,96*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 300V; 27A; Idm: 168A (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 300V Corriente del drenaje: 27A Resistencia en estado de transferencia: 75mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...
ST Microelectronics
STP46NF30
a partir de € 2,30*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W (1 oferta) 
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO247 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 70A Resistencia en estado de transferencia: 39mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder di...
ROHM Semiconductor
SCT3030ALGC11
a partir de € 26,43*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 36A; Idm: 97A; 208W (1 oferta) 
Fabricante: LUGUANG ELECTRONIC Montaje: THT Carcasa: TO247-4 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 36A Resistencia en estado de transferencia: 75mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M60065Q
a partir de € 7,51*
por unidad
 
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