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  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.818.335 artículos)

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VISHAY SIDR638DP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 40V, 100A, 150°C, 125W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 730 µohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8...
Vishay
SIDR638DP-T1-GE3
a partir de € 6,18*
por 5 unidades
 
 envase
VISHAY SISA18ADN-T1-GE3 MOSFET, N-CH, 30V, 38.3A, PPAK1212-8 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.006 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje...
Vishay
SISA18ADN-T1-GE3
a partir de € 0,163*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIDR668DP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 100V, 95A, 150°C, 125W (2 ofertas) 
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.004 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor M...
Vishay
SIDR668DP-T1-GE3
a partir de € 1,18*
por unidad
 
 unidad
Infineon SPP11N80C3 transistore 650 V (2 ofertas)
Infineon
SPP11N80C3XKSA1
a partir de € 1,54*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISA24DN-T1-GE3 MOSFET CANAL N, 25V, 60A, POWERPAK 1212 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00115 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pin...
Vishay
SISA24DN-T1-GE3
a partir de € 0,361*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIDR680DP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 80V, 100A, 150°C, 125W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0024 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines...
Vishay
SIDR680DP-T1-GE3
a partir de € 7,27*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IRLML6401TRPBF, VDSS 12 V, ID 4,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal P, de 12 V a 20 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conex...
Infineon
IRLML6401TRPBF
a partir de € 255,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
VISHAY SISA96DN-T1-GE3 MOSFET CANAL N, 30V, 16A, POWERPAK 1212 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0073 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pine...
Vishay
SISA96DN-T1-GE3
a partir de € 0,121*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon SPP80P06PHXKSA1, VDSS 60 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®. Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS ;sup>® ;/sup> tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos...
Infineon
SPP80P06PHXKSA1
a partir de € 12,50*
por 5 unidades
 
 envase
VISHAY SIHA100N60E-GE3 MOSFET, CANAL N, 30A, 600V, TO-220FP (3 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.086 ohm Gama de Producto E Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corri...
Vishay
SIHA100N60E-GE3
a partir de € 2,36*
por unidad
 
 unidad
Infineon SPP17N80C3 transistore 600 V (3 ofertas)
Infineon
SPP17N80C3XKSA1
a partir de € 1,99*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISH101DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL P, -30V, -35A, 150°C, 52W (3 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0058 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pine...
Vishay
SISH101DN-T1-GE3
a partir de € 0,266*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIHA17N80E-E3 MOSFET, CANAL N, 800V, 15A, TO-220FP (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.25 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...
Vishay
SIHA17N80E-E3
a partir de € 2,23*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISH402DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 30V, 35A, 150°C, 52W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0048 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pine...
Vishay
SISH402DN-T1-GE3
a partir de € 0,345*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon SPW20N60C3FKSA1, VDSS 650 V, ID 20,7 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3
Infineon
SPW20N60C3FKSA1
a partir de € 2,69*
por unidad
 
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