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  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.818.336 artículos)

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VISHAY SIHB23N60E-GE3 MOSFET, N CH, 600V, 23A, TO-263-3 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.132 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...
Vishay
SIHB23N60E-GE3
a partir de € 1,70*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQ3427AEEV-T1_GE3 MOSFET, AUTO, CANAL P, -60V, -5.3A, TSOP (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.079 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 3 - 168 horas Número de Pines 6 Pines...
Vishay
SQ3427AEEV-T1_GE3
a partir de € 0,321*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLR8743TRPBF, VDSS 30 V, ID 160 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y lo...
Infineon
IRLR8743TRPBF
a partir de € 8,01*
por 10 unidades
 
 envase
VISHAY SIHD186N60EF-GE3 MOSFET, CANAL N, 600V, 19A, TO-252-3 (3 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.175 ohm Gama de Producto EF Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...
Vishay
SIHD186N60EF-GE3
a partir de € 1,35*
por unidad
 
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VISHAY SQA470EJ-T1_GE3 MOSFET, AEC-Q101, N, POWERPAK SC70-6 (1 oferta) 
Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 13.6 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 600 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Tensión de ...
Vishay
SQA470EJ-T1_GE3
a partir de € 0,165*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIHD5N50D-GE3 MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, DPAK (2 ofertas) 
Gama de Producto D Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua I...
Vishay
SIHD5N50D-GE3
a partir de € 0,374*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQD40020E_GE3 MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 40V, TO-252-3 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0019 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pine...
Vishay
SQD40020E_GE3
a partir de € 0,713*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLS3034TRL7PP, VDSS 40 V, ID 380 A, D2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N de 40 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y fa...
Infineon
IRLS3034TRL7PP
€ 1.287,20*
por 800 unidades
 
 envase
VISHAY SIHF18N50D-E3 MOSFET, N-CH, 500V, 18A, TO-220FP (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.23 ohm Gama de Producto D Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...
Vishay
SIHF18N50D-E3
a partir de € 1,18*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLR2908TRPBF, VDSS 80 V, ID 39 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión...
Infineon
IRLR2908TRPBF
a partir de € 0,41*
por unidad
 
 unidades
VISHAY SQD50034E_GE3 MOSFET, N-CH, 60V, 100A, 175DEG C, 107W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0032 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pine...
Vishay
SQD50034E_GE3
a partir de € 0,589*
por unidad
 
 unidad
MOSFET IXYS IXFB82N60Q3, VDSS 600 V, ID 82 A, PLUS264 de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3. Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja desca...
IXYS
IXFB82N60Q3
a partir de € 29,56*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIHFL9110TR-GE3 MOSFET, CANAL P, 100V, 1.1A, SOT-223 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.2 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje d...
Vishay
SIHFL9110TR-GE3
a partir de € 1,265*
por 5 unidades
 
 envase
VISHAY SQJ431EP-T1_GE3 MOSFET, AEC-Q101, CANAL P, -200V, -12A (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.178 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines...
Vishay
SQJ431EP-T1_GE3
a partir de € 0,877*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLS3036TRL7PP, VDSS 60 V, ID 300 A, D2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión...
Infineon
IRLS3036TRL7PP
€ 1.456,00*
por 800 unidades
 
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