Categorías
España
Español
Mi Mercateo
Iniciar sesión/Registrarse		Cesta
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.818.054 artículos)

Los filtros siguientes ayudan a reafinar la lista de artículos para la búsqueda "MOSFET" según sus necesidades:
Filtrar: Precio desdehasta€  Palabra 
Propiedades
☐
Vista general

"MOSFET"

Términos genéricos
Visualización
☐
☐
☐
☐
Imagen
Artículo ^v
Fabricante/N.º ^v
Precio ^v
Realizar un pedido
atrás
MOSFET onsemi NVMYS3D3N06CLTWG, VDSS 60 V, ID 133 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 133 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = LFPAK, SOT-669 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 R...
onsemi
NVMYS3D3N06CLTWG
a partir de € 1,066*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2,5A; Idm: 16A; 77W; TO252 (1 oferta) 
Fabricante: BRIDGELUX Montaje: SMD Carcasa: TO252 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 2,5A Resistencia en estado de transferencia: 2,8Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...
Bridgelux
BXP4N65D
a partir de € 0,168*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISA88DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 30V, 40.5A, 150°C (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0054 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines...
Vishay
SISA88DN-T1-GE3
a partir de € 0,164*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO263-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-TO263-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 46A Resistencia en estado de transferencia: 45mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET ...
Infineon
IPB65R045C7ATMA1
a partir de € 10,10*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIHP35N60EF-GE3 MOSFET, CANAL N, 32A, 600V, TO-220AB (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.084 ohm Gama de Producto EF Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...
Vishay
SIHP35N60EF-GE3
a partir de € 2,72*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 0,35µs Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 20A Resistencia en estado de transferencia: 0,21Ω Tipo de transis...
IXYS
IXTA20N65X
a partir de € 4,86*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISB46DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 40V, 34A, 150°C, 23W (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 40 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 34 A Tipo de Canal Canal N Disipación de Potencia Canal N 23 W Disipación de Potencia Canal P 23 W Temperatura de Fu...
Vishay
SISB46DN-T1-GE3
a partir de € 0,341*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM BSM300D12P3E005, VDSS 1.200 V, ID 300 A, Lote (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 300 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = Lote Tipo de Montaje = Montaje roscado
ROHM Semiconductor
BSM300D12P3E005
€ 4.978,10*
por 4 unidades
 
 envase
Infineon IPW65R080CFD transistore 600 V (1 oferta)
Infineon
IPW65R080CFDFKSA1
a partir de € 7,85*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIHP690N60E-GE3, VDSS 650 V, ID 4 A, 6,4 A, TO-220AB de 3 pines (3 ofertas) 
El Vishay SIHP690N60E-GE3 es un MOSFET de alimentación de la serie E.Tecnología de la serie E de 4th generación Figura de mérito baja Baja capacitancia efectiva Menores pérdidas por conmutación y c...
Vishay
SIHP690N60E-GE3
a partir de € 0,763*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVMYS7D3N04CLTWG, VDSS 40 V, ID 52 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Capacidad MOSFET y PPAP adecuada para aplicaciones de auto...
onsemi
NVMYS7D3N04CLTWG
a partir de € 0,632*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20,2A; 151W; PG-TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 20,2A Resistencia en estado de transferencia: 0,19Ω Tipo de transistor: N-MOSF...
Infineon
IPP65R190E6XKSA1
a partir de € 1,56*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SISH103DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 54 A, 1212-8 de 8 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 54 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = 1212-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de Ca...
Vishay
SISH103DN-T1-GE3
a partir de € 0,304*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVD5C478NLT4G, VDSS 40 V, ID 45 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de alimentación de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficaces que incluye alto rendimiento térmico. Ideal para automoción.Características Baja resistencia C...
onsemi
NVD5C478NLT4G
€ 1.647,50*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Vishay SiHP6N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 5 A, TO-220AB de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 850 V Tipo de Encapsulado = TO-220AB Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 ...
Vishay
SiHP6N80AE-GE3
a partir de € 0,622*
por unidad
 
 unidad
siguiente
Artículo por página: 10   15   20   50   100    Página: atrás   1   ..   1191   1192   1193   1194   1195   1196   1197   1198   1199   1200   1201   ..   1692   siguiente

Búsqueda similar: FACT®Finder de Omikron
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.