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  MOSFET  (25.085 ofertas entre 5.820.361 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0,8A; 42W; TO252; 750ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO252 Tiempo de disponibilidad: 750ns Tensión drenaje-fuente: 1kV Corriente del drenaje: 0,8A Resistencia en estado de transferencia: 20Ω Tipo de transistor: ...
IXYS
IXTY08N100P
a partir de € 1,68*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Microchip TN2540N8-G, VDSS 400 V, ID 260 mA, TO-243AA de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
Este transistor de modo de mejora (normalmente desactivado) y umbral bajo utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un ...
Microchip Technology
TN2540N8-G
a partir de € 0,85*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon BSZ120P03NS3GATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, PG-TDSON-8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = PG-TDSON-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
BSZ120P03NS3GATMA1
a partir de € 0,569*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; Idm: 468A; 294W; D2PAK (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: D2PAK Tensión drenaje-fuente: 150V Corriente del drenaje: 83A Resistencia en estado de transferencia: 8,2mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 294...
onsemi
FDB082N15A
a partir de € 3,87*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Microchip VP2206N3-G, VDSS 60 V, ID 643 mA, TO-92 de 3 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 643 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = VP2206 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Dre...
Microchip Technology
VP2206N3-G
a partir de € 1,769*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon BSZ180P03NS3GATMA1, VDSS 30 V, ID 39,6 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 39,6 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = OptiMOS P3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima...
Infineon
BSZ180P03NS3GATMA1
a partir de € 0,378*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 32A; 41,5W; DFN5x6 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: DFN5x6 Tensión drenaje-fuente: 150V Corriente del drenaje: 32A Resistencia en estado de transferencia: 33,5mΩ Tipo de transistor: N-MOS...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6250
a partir de € 0,93*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Microchip TN5325K1-G, VDSS 250 V, ID 150 mA, TO-92 de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 150 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 250 V Serie = TN5325 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Modo de Canal...
Microchip Technology
TN5325K1-G
a partir de € 0,478*
por unidad
 
 unidad
Infineon BSZ180P03NS3 G transistore 30 V (2 ofertas)
Infineon
BSZ180P03NS3GATMA1
a partir de € 0,245*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IAUC100N04S6N015ATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, PG-TDSON (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PG-TDSON Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IAUC100N04S6N015ATMA1
a partir de € 0,99*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1,6A; 100W; TO263; 11ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 11ns Tensión drenaje-fuente: 1kV Corriente del drenaje: 1,6A Resistencia en estado de transferencia: 10Ω Tipo de transistor: N...
IXYS
IXTA1R6N100D2
a partir de € 1,54*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Microchip TN5335K1-G, VDSS 350 V, SOT-23 (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Tensión Máxima Drenador-Fuente = 350 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Microchip Technology
TN5335K1-G
a partir de € 0,55*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon BSZ146N10LS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 40 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines (1 oferta) 
El nivel lógico de MOSFET de potencia OptiMOS™ 5 de Infineon es muy adecuado para aplicaciones de carga inalámbrica, adaptador y telecomunicaciones. La carga de puerta baja (Q g) de los dispositivo...
Infineon
BSZ146N10LS5ATMA1
a partir de € 0,911*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 8A; 16W; TO220F (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220F Tensión drenaje-fuente: 150V Corriente del drenaje: 8A Resistencia en estado de transferencia: 94mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF454L
a partir de € 0,71*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA 2N7002HR MOSFET, CANAL N, 60V, 0.36A, SOT-23 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1 ohm Gama de Producto Trench Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines...
Nexperia
2N7002HR
a partir de € 0,2215*
por 5 unidades
 
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