Categorías
Mi Mercateo
Iniciar sesión/Registrarse
Cesta
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.085 ofertas entre 5.820.361 artículos)

Los filtros siguientes ayudan a reafinar la lista de artículos para la búsqueda "MOSFET" según sus necesidades:
Filtrar: Precio desdehasta  Palabra 
Propiedades
☐
Vista general

"MOSFET"

Términos genéricos
Visualización
☐
☐
☐
☐
Imagen
Realizar un pedido
atrás
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 19A; Idm: 120A; 1,04kW; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 1kV Corriente del drenaje: 19A Resistencia en estado de transferencia: 440mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT29F100L
a partir de € 12,88*
por unidad
 
 unidad
MONOLITHIC POWER SYSTEMS (MPS) MP1907GQ-P CONTROLADOR MOSFET, -40 A 125°C (1 oferta) 
Corriente de Suministro 2.5 A Tipo de Interruptor de Potencia MOSFET Gama de Producto - Tipo de Entrada No Inversión Tensión de Alimentación Máx. 18 V Número de Pines 10 Pines Corriente de Drenaje ...
MPS - Monolithic Power Systems
MP1907GQ-P
a partir de € 0,977*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon DF419MR20W3M1HFB11BPSA1, VDSS 2.000 V, AG-EASY3B (1 oferta) 
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 2.000 V Tipo de Encapsulado = AG-EASY3B Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
SP005677961
€ 2.214,304*
por 8 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1,8A; 132W; TO220 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220 Tensión drenaje-fuente: 1kV Corriente del drenaje: 1,8A Resistencia en estado de transferencia: 6Ω Tipo de transistor: N-MOSFET P...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT3N100
a partir de € 0,63*
por unidad
 
 unidad
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -110mA; Idm: -0,7A; 500mW (1 oferta) 
Fabricante: NEXPERIA Montaje: SMD Carcasa: SOT666 Tensión drenaje-fuente: -50V Corriente del drenaje: -0,11A Resistencia en estado de transferencia: 13,5Ω Tipo de transistor: P-MOSFET x2 Poder disi...
Nexperia
BSS84AKV,115
a partir de € 0,0669*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IAUA250N04S6N007EAUMA1, VDSS 40 V, ID 250 A, PG-HSOF-5 (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 250 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PG-HSOF-5 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IAUA250N04S6N007EAUMA1
a partir de € 1,218*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 66A; 179W; PG-TO263-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-TO263-3 Tensión drenaje-fuente: 150V Corriente del drenaje: 66A Resistencia en estado de transferencia: 8,3mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET...
Infineon
IPB083N15N5LF
a partir de € 4,12*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IAUA200N04S5N010AUMA1, VDSS 40 V, ID 200 A, HSOF-5 de 5 pines (1 oferta) 
MOSFET Infineon OptiMOS™-5 de potencia de canal N. Se utiliza para aplicaciones de automoción.Canal N - modo de mejora - nivel normal MSL3 hasta 260 °C de reflujo de Peak Temperatura de funcionamie...
Infineon
IAUA200N04S5N010AUMA1
a partir de € 1,208*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IAUC120N06S5L032ATMA1, VDSS 60 V, ID 120 A, PG-TDSON (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 120 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PG-TDSON Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1
a partir de € 0,703*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 357W; ISOPLUS264™ (1 oferta) 
Attention! This product is sold up to the quantity available in stock. In case of larger orders, the amount will be replaced by the available quantity. Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: ISOPLU...
IXYS
IXFL44N100P
a partir de € 14,62*
por unidad
 
 unidad
MULTICOMP PRO 2N7002DW-7-F. MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 4.4OHM, 115 (1 oferta) 
Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Disipación de Potencia Canal P - Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 115 mA Gama de Producto Multicomp Pro MOSFET, N Channel Tensión Drenaje-Fuente Vd...
Multicomp
2N7002DW-7-F.
a partir de € 0,096*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon FF6MR12KM1BOSA1, VDSS 1.200 V, ID 250 A, AG-62MM (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 250 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = FF6MR Tipo de Montaje = Montaje roscado Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 5.81 mΩ ...
Infineon
FF6MR12KM1BOSA1
€ 4.362,21*
por 10 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO268; 70ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268 Tiempo de disponibilidad: 70ns Tensión drenaje-fuente: 1kV Corriente del drenaje: 10A Resistencia en estado de transferencia: 1,5Ω Tipo de transistor: N...
IXYS
IXTT10N100D2
a partir de € 11,18*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA BUK4D16-20X MOSFET AEC-Q101 CANAL N 20V DFN2020MD (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 8 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.011 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje ...
Nexperia
BUK4D16-20X
a partir de € 0,745*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO220AB; 69ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 69ns Tensión drenaje-fuente: 150V Corriente del drenaje: 76A Resistencia en estado de transferencia: 22mΩ Tipo de transistor...
IXYS
IXFP76N15T2
a partir de € 2,42*
por unidad
 
 unidad
siguiente
Artículo por página: 10   15   20   50   100    Página: atrás   1   ..   791   792   793   794   795   796   797   798   799   800   801   ..   1673   siguiente

Búsqueda similar: FACT®Finder de Omikron
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.