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  MOSFET  (25.085 ofertas entre 5.820.361 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: D2PAK Tensión drenaje-fuente: 150V Corriente del drenaje: 60A Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 320W Polarización: unipolar Clase ...
Infineon
IRFS52N15DTRRP
a partir de € 680,76*
por 800 unidades
 
 envase
MOSFET Microchip VN3205N8-G, VDSS 50 V, SOT-89 (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Tensión Máxima Drenador-Fuente = 50 V Tipo de Encapsulado = SOT-89 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Microchip Technology
VN3205N8-G
a partir de € 1,252*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon FF6MR12KM1BOSA1, VDSS 1.200 V, ID 250 A, AG-62MM (1 oferta) 
El módulo de medio puente Infineon de 62 mm, 1.200 V, 6 mΩ con MOSFET Cool sic™.Alta densidad de corriente Pérdidas de conmutación bajas Fiabilidad de óxido de puerta superior Máxima resistencia co...
Infineon
FF6MR12KM1BOSA1
a partir de € 687,348*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPB108N15N3 G transistore 60 V (2 ofertas)
Infineon
IPB108N15N3GATMA1
a partir de € 1,96*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA BSS123,215 N CHANNEL MOSFET, 150MA, 100V, SOT-23 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 3.5 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Mon...
Nexperia
BSS123,215
a partir de € 0,048*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IAUC120N04S6N006ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 120 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 N...
Infineon
IAUC120N04S6N006ATMA1
a partir de € 2,06*
por unidad
 
 unidad
MICROCHIP VP0808L-G D-MOSFET, CANAL P, -0.28A, -80V, TO-92-3 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 5 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orifi...
Microchip Technology
VP0808L-G
a partir de € 1,02*
por unidad
 
 unidad
Infineon BSZ900N20NS3 G transistore 60 V (2 ofertas)
Infineon
BSZ900N20NS3GATMA1
a partir de € 0,80*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA BSS192,115 MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 12 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de...
Nexperia
BSS192,115
a partir de € 0,166*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IAUA200N04S5N010AUMA1, VDSS 40 V, ID 200 A, PG-HSOF-5 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 200 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PG-HSOF-5 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IAUA200N04S5N010AUMA1
€ 1,048*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 63,5A; Idm: 360A; 375W; TO3PN (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO3PN Tensión drenaje-fuente: 150V Corriente del drenaje: 63,5A Resistencia en estado de transferencia: 18mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 37...
onsemi
FQA90N15-F109
a partir de € 3,91*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Microchip VP2450N8-G, VDSS 500 V, ID 160 mA, SOT-89 de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
Este transistor de modo de mejora (normalmente desactivado) y umbral bajo utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un ...
Microchip Technology
VP2450N8-G
a partir de € 0,877*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IAUA180N04S5N012AUMA1, VDSS 40 V, ID 180 A, HSOF-5 de 5 pines (1 oferta) 
El MOSFET de potencia Infineon se utiliza para aplicaciones de automoción. MOSFET de canal n y 100 % a prueba de avalancha. Es un MOSFET de nivel normal de canal n.Cumple con RoHS y tiene certifica...
Infineon
IAUA180N04S5N012AUMA1
a partir de € 1,159*
por unidad
 
 unidades
NEXPERIA BSS84AKMB,315 MOSFET, CAN P, -50V, -0.23A, SOT883B-3 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 4.5 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje d...
Nexperia
BSS84AKMB,315
a partir de € 0,0595*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IAUC120N04S6N010ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, PG-TDSON (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 120 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PG-TDSON Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1
a partir de € 1,466*
por unidad
 
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