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  MOSFET  (25.386 ofertas entre 5.869.128 artículos)

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ONSEMI FDC2612 MOSFET, N CH, 200V, 1.1A, SOT-23-6 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.605 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje...
onsemi
FDC2612
a partir de € 0,228*
por unidad
 
 unidades
NEXPERIA BUK9M10-30EX MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 30V, SOT-1210 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0064 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
Nexperia
BUK9M10-30EX
a partir de € 0,233*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMBG65R083M1HXTMA1, VDSS 650 V, ID 28 A, TO-263-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 28 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-263-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Número ...
Infineon
IMBG65R083M1HXTMA1
a partir de € 5,554*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA BUK9M4R3-40HX MOSFET, CANAL N, 40V, 95A, 175°C, 90W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0043 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
Nexperia
BUK9M4R3-40HX
a partir de € 0,537*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMW65R057M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 35 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 35 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = CoolSiC Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Má...
Infineon
IMW65R057M1HXKSA1
a partir de € 8,029*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4,5A; Idm: 30A; 83W; DPAK (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: DPAK Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 4,5A Resistencia en estado de transferencia: 0,38Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 83W...
onsemi
FDD10N20LZTM
a partir de € 0,339*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA BUK9M11-40EX MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 40V, SOT-1210 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0075 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
Nexperia
BUK9M11-40EX
a partir de € 0,257*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA BUK9M52-40EX MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 40V, SOT-1210 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0324 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
Nexperia
BUK9M52-40EX
a partir de € 0,18*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A; 568W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 100A Resistencia en estado de transferencia: 20mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M20LFLLG
a partir de € 33,15*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA BUK9M11-40HX MOSFET, CANAL N, 40V, 35A, 175°C, 50W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.009 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje...
Nexperia
BUK9M11-40HX
a partir de € 0,301*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMBG65R163M1HXTMA1, VDSS 650 V, ID 17 A, TO-263-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-263-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Número ...
Infineon
IMBG65R163M1HXTMA1
a partir de € 4,109*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12,1A; Idm: 76A; 139W; D2PAK (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: D2PAK Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 12,1A Resistencia en estado de transferencia: 0,17Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 1...
onsemi
FQB19N20CTM
a partir de € 0,78*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA BUK9M53-60EX MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 60V, SOT-1210 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.037 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje...
Nexperia
BUK9M53-60EX
a partir de € 0,267*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMW65R083M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 24 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = CoolSiC Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Má...
Infineon
IMW65R083M1HXKSA1
a partir de € 5,584*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA BUK9M12-60EX MOSFET, CANAL N, AUTO, 54A, 60V, SOT1210 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.009 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje...
Nexperia
BUK9M12-60EX
a partir de € 0,434*
por unidad
 
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