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  MOSFET  (25.386 ofertas entre 5.869.128 artículos)

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MOSFET Infineon IMZ120R350M1HXKSA1, VDSS 1.200 V, ID 4,7 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
El MOSFET Infineon CoolSiC™ de 1.200 V, 350 mΩ SiC en encapsulado TO247-4 se ha construido sobre un proceso semiconductor Trench de vanguardia optimizado para combinar rendimiento con fiabilidad. E...
Infineon
IMZ120R350M1HXKSA1
a partir de € 4,36*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 118ns Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 60A Resistencia en estado de transferencia: 40mΩ Tipo de transistor:...
IXYS
IXTA60N20T
a partir de € 2,84*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDP52N20 MOSFET, N-CH, 200V, 52A, TO-220AB-3 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.041 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor O...
onsemi
FDP52N20
a partir de € 0,995*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA BUK9Y30-75B,115 MOSFET, N CH 75V 34A SOT669 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.028 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaje ...
Nexperia
BUK9Y30-75B,115
a partir de € 0,423*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 55W; TO220F (1 oferta) 
Fabricante: BRIDGELUX Montaje: THT Carcasa: TO220F Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 11A Resistencia en estado de transferencia: 0,18Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado:...
Bridgelux
BXP18N20F
a partir de € 0,48*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMW120R140M1HXKSA1, VDSS 1.200 V, ID 19 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 19 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3...
Infineon
IMW120R140M1HXKSA1
a partir de € 5,55*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17,8A; Idm: 112A; 50W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 17,8A Resistencia en estado de transferencia: 82mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...
onsemi
FQPF32N20C
a partir de € 1,23*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA BUK9Y40-55B,115 MOSFET AECQ101 CANAL N 55V 26A LFPAK56 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.032 ohm Gama de Producto TrenchMOS Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines...
Nexperia
BUK9Y40-55B,115
a partir de € 0,294*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMZA120R014M1HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 127 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 127 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V Tipo de Encapsulado = TO-247-4 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines =...
Infineon
IMZA120R014M1HXKSA1
a partir de € 24,929*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO3P; 118ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO3P Tiempo de disponibilidad: 118ns Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 60A Resistencia en estado de transferencia: 40mΩ Tipo de transistor: ...
IXYS
IXTQ60N20T
a partir de € 2,54*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Nexperia BUK9M31-60ELX, VDSS 60 V, ID 35 A, SOT1210 (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 35 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOT1210 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Nexperia
BUK9M31-60ELX
a partir de € 0,546*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMW120R040M1HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 55 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 55 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 ...
Infineon
IMW120R040M1HXKSA1
€ 2.000,88*
por 240 unidades
 
 envase
NEXPERIA BUK9Y43-60E,115 MOSFET AECQ101 CANAL N 60V 22A LFPAK56 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.031 ohm Gama de Producto TrenchMOS Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines...
Nexperia
BUK9Y43-60E,115
a partir de € 0,28*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMW65R039M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 46 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 46 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = CoolSiC Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Má...
Infineon
IMW65R039M1HXKSA1
a partir de € 222,00*
por 30 unidades
 
 envase
ONSEMI FQB19N20LTM MOSFET, N-CH, 200V, 21A, TO-263AB-2 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.11 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 2 Pines Montaje ...
onsemi
FQB19N20LTM
a partir de € 0,659*
por unidad
 
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