MOSFET | MERCATEO (Página 835/1.656)

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ONSEMI FDMQ8403 MOSFET, CANAL N CUµD, 100V, 6A, WDFN-12 (2 ofertas)

Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 100 V Gama de Producto PowerTrench GreenBridge Series Corriente de Drenaje Continua Id Canal P - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número...

onsemi

FDMQ8403

a partir de € 1,66*
por unidad

MOSFET Infineon IPB123N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 58 A, PG-TDSON-8 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 58 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PG-TDSON-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Infineon

IPB123N10N3GATMA1

a partir de € 1,174*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7,5A; 2W; TSOP6 (1 oferta)

Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: TSOP6 Tensión drenaje-fuente: 20V Corriente del drenaje: 7,5A Resistencia en estado de transferencia: 31mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...

Infineon

BSL802SNH6327XTSA1

a partir de € 0,135*
por unidad

ONSEMI FDMS007N08LC MOSFET, CANAL N, 80V, 84A, 150°C, 92.6W (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0049 ohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pi...

onsemi

FDMS007N08LC

a partir de € 0,895*
por unidad

MOSFET Infineon IPB044N15N5ATMA1, VDSS 150 V, ID 174 A, D2PAK-7 de 7 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 174 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Serie = OptiMOS™ 5 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima...

Infineon

IPB044N15N5ATMA1

€ 2,416*
por unidad

MOSFET Infineon IPB015N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 195 A, PG-TO263-3 de 3 pines, 2elementos (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 195 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo ...

Infineon

IPB015N06NF2SATMA1

a partir de € 0,94*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5,4A; Idm: 22A; 1,3W; SOT23 (1 oferta)

Fabricante: DIODES INCORPORATED Montaje: SMD Carcasa: SOT23 Tensión drenaje-fuente: 20V Corriente del drenaje: 5,4A Resistencia en estado de transferencia: 91mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder d...

Diodes

DMN2053UW-7

a partir de € 0,0651*
por unidad

MOSFET Infineon IPB160N04S203ATMA4, VDSS 40 V, ID 160 A, TO-263-7 de 7 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 160 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = OptiMOS™-T Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima ...

Infineon

IPB160N04S203ATMA4

€ 1,515*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9,6A; 3W; DFN8 (1 oferta)

Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: DFN8 Tensión drenaje-fuente: 20V Corriente del drenaje: 9,6A Resistencia en estado de transferencia: 13mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET ...

Alpha & Omega Semiconductor

AON3402

a partir de € 0,27*
por unidad

ONSEMI FDMA1032CZ MOSFET, N & P CH, 20V, 3.7A, MICROFET (1 oferta)

Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Gama de Producto - Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 3.7 A Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión ...

onsemi

FDMA1032CZ

a partir de € 0,361*
por unidad

MOSFET Infineon IPB029N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 120 A, PG-TO263-3 de 3 pines, 2elementos (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 120 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo ...

Infineon

IPB029N06NF2SATMA1

a partir de € 1,224*
por unidad

MOSFET onsemi FDMS4D5N08LC, VDSS 80 V, ID 116 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple (2 ofertas)

Este MOSFET MV de canal N se fabrica mediante un proceso PowerTrench® avanzado de ON Semiconductor que incorpora la tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la...

onsemi

FDMS4D5N08LC

a partir de € 1,09*
por unidad

MOSFET Infineon IPB048N15N5LFATMA1, VDSS 150 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 120 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 ...

Infineon

IPB048N15N5LFATMA1

€ 3,555*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO220AB; 148ns (1 oferta)

Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 148ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 76A Resistencia en estado de transferencia: 44mΩ Tipo de transisto...

IXYS

IXTP76N25T

a partir de € 2,94*
por unidad

ONSEMI FDMA430NZ MOSFET, N (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0236 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Monta...

onsemi

FDMA430NZ

a partir de € 0,255*
por unidad

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