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  MOSFET  (25.386 ofertas entre 5.869.128 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2,4A; Idm: 15,2A; 37W; DPAK (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: DPAK Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 2,4A Resistencia en estado de transferencia: 1,25Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 37W...
onsemi
FQD5N20LTM
a partir de € 0,36*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Nexperia BUK9M67-60ELX, VDSS 60 V, ID 20 A, SOT1210 (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOT1210 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Nexperia
BUK9M67-60ELX
a partir de € 0,361*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 100A; Idm: 400A; 694W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 100A Resistencia en estado de transferencia: 16mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M16LLLG
a partir de € 24,07*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA BUK9M120-100EX MOSFET, CANAL N, AEC-Q101, 11.5A, 100V (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.096 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje...
Nexperia
BUK9M120-100EX
a partir de € 0,279*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMW120R007M1HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 225 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 225 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3...
Infineon
IMW120R007M1HXKSA1
a partir de € 50,451*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13A; 100W; TO252 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: TO252 Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 13A Resistencia en estado de transferencia: 0,105Ω Tipo de transistor: N-MOSF...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD2210
a partir de € 0,73*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA BUK9M85-60EX MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 60V, SOT-1210 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.059 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje...
Nexperia
BUK9M85-60EX
a partir de € 0,265*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMZ120R030M1HXKSA1, VDSS 1.200 V, ID 56 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 56 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = IMZ1 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Máx...
Infineon
IMZ120R030M1HXKSA1
a partir de € 14,91*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5,7A; Idm: 36A; 55W; DPAK (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: DPAK Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 5,7A Resistencia en estado de transferencia: 0,28Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Uso: rama automotri...
onsemi
FQD12N20LTM-F085
a partir de € 0,57*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA BUK9M14-40EX MOSFET, CANAL N, AUTO, 44A, 40V, SOT1210 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0089 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
Nexperia
BUK9M14-40EX
a partir de € 0,322*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA BUK9M9R1-40EX MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 40V, SOT-1210 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0062 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
Nexperia
BUK9M9R1-40EX
a partir de € 0,339*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA BUK9M15-60EX MOSFET, AEC-Q101 CANAL N 60V, SOT-1210 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.011 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje...
Nexperia
BUK9M15-60EX
a partir de € 0,278*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMW120R020M1HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 127 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 127 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3...
Infineon
IMW120R020M1HXKSA1
a partir de € 17,177*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 140A Resistencia en estado de transferencia: 18mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 830W ...
IXYS
IXFK140N20P
a partir de € 9,73*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA BUK9Y12-100E,115 MOSFET, CANAL N, 100V, 85A, LFPAK56 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0091 ohm Gama de Producto TrenchMOS Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pine...
Nexperia
BUK9Y12-100E,115
a partir de € 0,77*
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