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  MOSFET  (25.383 ofertas entre 5.869.044 artículos)

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NEXPERIA PMGD290UCEAX MOSFET, N / P CH, 20V/20V, SOT-363 (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 725 mA Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente ...
Nexperia
PMGD290UCEAX
a partir de € 0,0738*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPA60R180C7XKSA1, VDSS 650 V, ID 9 A, TO-220 FP de 3 pines (1 oferta) 
Infineon Design de Cool MOS™ C7 es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie...
Infineon
IPA60R180C7XKSA1
a partir de € 1,869*
por unidad
 
 unidades
NEXPERIA PMPB10R3XNX MOSFET, CANAL N, 30V, 13A, DFN2020M (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0103 ohm Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N ...
Nexperia
PMPB10R3XNX
a partir de € 0,555*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IPA65R400CEXKSA1, VDSS 650 V, ID 15,1 A, TO-220 FP de 3 pines (1 oferta) 
MOSFET Infineon CoolMOS™ serie CE de potencia de canal N. El CoolMOS™ CE es adecuado para aplicaciones de conmutación dura y suave y, como superunión moderna, proporciona bajas pérdidas de conducci...
Infineon
IPA65R400CEXKSA1
a partir de € 0,856*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2,1A; 0,35W; SOT23 (1 oferta) 
Fabricante: LUGUANG ELECTRONIC Montaje: SMD Carcasa: SOT23 Tensión drenaje-fuente: 20V Corriente del drenaje: 2,1A Resistencia en estado de transferencia: 0,115Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE2302
a partir de € 0,148*
por 5 unidades
 
 envases
NEXPERIA PMGD780SN,115 MOSFET, N CH, TRENCH DL, 60V, SOT363 (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 60 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P - Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión Dren...
Nexperia
PMGD780SN,115
a partir de € 0,0814*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMPB10XNX MOSFET, CANAL N, 30V, 9.5A, DFN2020MD (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.011 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaj...
Nexperia
PMPB10XNX
a partir de € 0,585*
por 5 unidades
 
 envase
Infineon IPA60R280P6 transistore 650 V (2 ofertas)
Infineon
IPA60R280P6XKSA1
a partir de € 1,048*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 74A; Idm: 296A; 403W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 74A Resistencia en estado de transferencia: 34mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Pod...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M34BFLLG
a partir de € 13,26*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMH260UNEH MOSFET, CANAL N, 20V, 1.2A, DFN0606 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.26 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...
Nexperia
PMH260UNEH
a partir de € 0,2585*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IPA60R180P7XKSA1, VDSS 600 V, ID 18 A, TO-220 FP de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 18 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = TO-220 FP Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = ...
Infineon
IPA60R180P7XKSA1
a partir de € 1,501*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 86A; 550W; TO220AB; 140ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 140ns Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 86A Resistencia en estado de transferencia: 33mΩ Tipo de transisto...
IXYS
IXTP86N20T
a partir de € 2,94*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMPB11R2VPX MOSFET, CANAL P, 12V, 9.7A, DFN2020M (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0112 ohm Gama de Producto Trench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines ...
Nexperia
PMPB11R2VPX
a partir de € 0,493*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IPA70R450P7SXKSA1, VDSS 700 V, ID 10 A, TO-220 FP de 3 pines (1 oferta) 
MOSFET Infineon de potencia de canal N serie 700V CoolMOS™ P7. CoolMOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pi...
Infineon
IPA70R450P7SXKSA1
a partir de € 0,399*
por unidad
 
 unidades
NEXPERIA PMH550UNEH MOSFET, CANAL N, 30V, 0.77A, DFN0606 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.55 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...
Nexperia
PMH550UNEH
a partir de € 0,2625*
por 5 unidades
 
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