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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.822.034 artículos)

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MOSFET STMicroelectronics SCTW40N120G2V, VDSS 1.200 V, ID 36 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone ...
ST Microelectronics
SCTW40N120G2V
a partir de € 14,999*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4,4A; 33W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 900V Corriente del drenaje: 4,4A Resistencia en estado de transferencia: 0,8Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Po...
Infineon
IPA90R800C3XKSA1
a partir de € 0,99*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Semelab D1002UK, VDSS 70 V, ID 10 A, DA de 4 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Transistores MOSFET RF, Semelab
Semelab
D1002UK
€ 1.441,475*
por 25 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 11A; 85W; TO262 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO262 Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 11A Resistencia en estado de transferencia: 530mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 85W ...
WAYON
WMN14N70C2
a partir de € 0,57*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics RF2L36075CF2, VDSS 60 V, B2 de 2 pines (1 oferta) 
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = B2 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 2 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxima ...
ST Microelectronics
RF2L36075CF2
€ 14.963,76*
por 120 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4,4A; 104W; PG-TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 900V Corriente del drenaje: 4,4A Resistencia en estado de transferencia: 0,8Ω Tipo de transistor: N-MOSFET...
Infineon
IPW90R800C3FKSA1
a partir de € 1,25*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2,6A; 29W; TO251 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO251 Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 2,6A Resistencia en estado de transferencia: 2,45Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 29W...
WAYON
WMP04N70C2
a partir de € 0,196*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTW70N120G2V, VDSS 1.200 V, ID 91 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 91 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCTW70N Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia ...
ST Microelectronics
SCTW70N120G2V
a partir de € 32,87*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 12A; 79W (1 oferta) 
Fabricante: SHINDENGEN Montaje: THT Carcasa: FTO-220AG (SC91) Tensión drenaje-fuente: 900V Corriente del drenaje: 4A Resistencia en estado de transferencia: 3,4Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Uso: r...
SHINDENGEN
P4F90VX3-5600
a partir de € 0,62*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Semelab D1013UK, VDSS 70 V, ID 5 A, DP de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Transistores MOSFET RF, Semelab
Semelab
D1013UK
€ 1.117,25*
por 25 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 12A; 86W; TO262 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO262 Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 12A Resistencia en estado de transferencia: 0,42Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 86W ...
WAYON
WMN16N70C2
a partir de € 0,62*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics RF3L05250CB4, VDSS 90 V, LBB de 5 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Tensión Máxima Drenador-Fuente = 90 V Tipo de Encapsulado = LBB Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbra...
ST Microelectronics
RF3L05250CB4
€ 16.087,10*
por 100 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 40A; 960W; PLUS247™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: PLUS247™ Tensión drenaje-fuente: 900V Corriente del drenaje: 40A Resistencia en estado de transferencia: 0,23Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 96...
IXYS
IXFX40N90P
a partir de € 17,73*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 42W; TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 4A Resistencia en estado de transferencia: 1,45Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 42W...
WAYON
WMK07N70C2
a partir de € 0,38*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4, VDSS 650 V, ID 45 A, HiP247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = HiP247-4 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V-4
a partir de € 22,117*
por unidad
 
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