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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.822.014 artículos)

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ONSEMI FDMT800100DC MOSFET CANAL N, 100V, 162A, DUAL COOL 88 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0023 ohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pi...
onsemi
FDMT800100DC
a partir de € 3,85*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPD50R1K4CE transistore 900 V (1 oferta)
Infineon
IPD50R1K4CEAUMA1
a partir de € 407,50*
por 2.500 unidades
 
 envase
Infineon IPD135N08N3 G transistore 80 V (1 oferta)
Infineon
IPD135N08N3GATMA1
a partir de € 1.015,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2,5W; SO8 (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 18A Resistencia en estado de transferencia: 7,2mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 2,5W P...
onsemi
FDS8870
a partir de € 0,62*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDMT80040DC MOSFET, CANAL N, 40V, 420A, 150°C, 156W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 440 µohm Gama de Producto Dual Cool PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pi...
onsemi
FDMT80040DC
a partir de € 5,74*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPD50R1K4CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 4,8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4,8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 500 V Serie = CoolMOS™ CE Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxim...
Infineon
IPD50R1K4CEAUMA1
a partir de € 0,284*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IPD60R180P7SAUMA1, VDSS 600 V, ID 18 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET de súper unión MOS P7 600V Cool sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) in...
Infineon
IPD60R180P7SAUMA1
a partir de € 0,96*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2,5W; SO8 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 13A Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 2,5W Polarización: unipolar Clase de ...
Infineon
IRF7463TRPBF
a partir de € 2.305,84*
por 4.000 unidades
 
 envase
ONSEMI FDMT80080DC MOSFET, CANAL N, 80V, 254A, DUAL COOL 88 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00135 ohm Gama de Producto PowerTrench Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pi...
onsemi
FDMT80080DC
a partir de € 2,50*
por unidad
 
 unidad
Infineon IRFHM8326 transistore 55 V (1 oferta)
Infineon
IRFHM8326TRPBF
a partir de € 1.042,12*
por 4.000 unidades
 
 envase
ONSEMI FDN327N MOSFET, N-CH, 20V, 2A, 3-SSOT, RL (1 oferta) 
Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SuperSOT Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 500 mW Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 700 m...
onsemi
FDN327N
a partir de € 0,0899*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IPD50R650CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 9 A, TO-252 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 9 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 500 V Serie = CoolMOS™ CE Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima ...
Infineon
IPD50R650CEAUMA1
a partir de € 0,537*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IPD60R1K0PFD7SAUMA1, VDSS 650 V, ID 8,8 A, TO-252 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8,8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-252 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 ...
Infineon
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
€ 0,29*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2,5W; SO8 (1 oferta) 
Fabricante: DIODES INCORPORATED Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 13A Resistencia en estado de transferencia: 10mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disi...
Diodes
DMN3007LSS-13
a partir de € 0,231*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPD220N06L3GATMA1, VDSS 60 V, ID 30 A, PG-TO252 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PG-TO252 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPD220N06L3GATMA1
a partir de € 672,50*
por 2.500 unidades
 
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