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  MOSFET  (25.183 ofertas entre 5.804.220 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2,8A; 1,4W; SOT23 (1 oferta) 
Fabricante: DIODES INCORPORATED Montaje: SMD Carcasa: SOT23 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 2,8A Resistencia en estado de transferencia: 70mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder d...
Diodes
DMG3406L-7
a partir de € 0,111*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTMFS6H824NT1G, VDSS 60 V, ID 20 A, DFN (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = DFN Tipo de Montaje = Montaje superficial
onsemi
NTMFS6H824NT1G
a partir de € 0,651*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPD60R1K5CEAUMA1, VDSS 600 V, ID 5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Infineon CoolMOS™ CE es adecuada para aplicaciones de conmutación dura y suave y, como superunión moderna, proporciona bajas pérdidas de conducción y conmutación, mejorando la eficiencia y, en últi...
Infineon
IPD60R1K5CEAUMA1
a partir de € 0,311*
por unidad
 
 unidades
Infineon IRLU7843 transistore 100 V (1 oferta)
Infineon
IRLU7843PBF
a partir de € 0,88*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI NTMFS6D1N08HT1G MOSFET, CANAL N, 80V, 89A, 175°C, 104W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0045 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 5 Pines Montaj...
onsemi
NTMFS6D1N08HT1G
a partir de € 0,569*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPD80P03P4L07ATMA2, VDSS 30 V, ID 80 A, PG-TO252-3-11 (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 80 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = PG-TO252-3-11 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPD80P03P4L07ATMA2
a partir de € 0,921*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2,6A; Idm: 16A; 1,1W; SOT23-3 (1 oferta) 
Fabricante: BRIDGELUX Montaje: SMD Carcasa: SOT23-3 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 2,6A Resistencia en estado de transferencia: 70mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado:...
Bridgelux
BXT420N03M
a partir de € 0,0344*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTMFSC1D6N06CL, VDSS 60 V, ID 235 A, DFN8 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
Este MOSFET de canal N se fabrica mediante el proceso Advanced Power Trench® DE ON Semiconductor. Se han combinado los avances en las tecnologías de encapsulado de silicio y Dual Cool™ para ofrecer...
onsemi
NTMFSC1D6N06CL
a partir de € 5,315*
por 5 unidades
 
 envase
Infineon IPD60R280PFD7S transistore 600 V (2 ofertas)
Infineon
IPD60R280PFD7SAUMA1
a partir de € 0,569*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTMFSC4D2N10MC, VDSS 100 V, ID 116 A, DFN de 8 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 116 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = NTMFS Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Dren...
onsemi
NTMFSC4D2N10MC
a partir de € 8,045*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IPD60R180C7ATMA1, VDSS 600 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 13 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Serie = CoolMOS™ C7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima...
Infineon
IPD60R180C7ATMA1
a partir de € 1,916*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; 83W; DFN5x6 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: DFN5x6 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 200A Resistencia en estado de transferencia: 0,68mΩ Tipo de transistor: N-MOS...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6560
a partir de € 0,85*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI NTMJS0D8N04CLTWG MOSFET, CANAL N, 40V, 368A, 175°C, 180W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 600 µohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje ...
onsemi
NTMJS0D8N04CLTWG
a partir de € 3,45*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPD60R280CFD7ATMA1, VDSS 650 V, ID 9 A, TO-252 de 3 pines (1 oferta) 
El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor cont...
Infineon
IPD60R280CFD7ATMA1
a partir de € 1,183*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2,5W; SO8 (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 18A Resistencia en estado de transferencia: 7,2mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 2,5W P...
onsemi
FDS8870
a partir de € 0,63*
por unidad
 
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