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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.822.014 artículos)

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MOSFET Infineon IPD50N06S4L12ATMA2, VDSS 60 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 50 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = OptiMOS™ -T2 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima...
Infineon
IPD50N06S4L12ATMA2
a partir de € 0,542*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 9,1A; Idm: 57,6A; 147W (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tensión drenaje-fuente: 300V Corriente del drenaje: 9,1A Resistencia en estado de transferencia: 0,29Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...
onsemi
FQP14N30
a partir de € 1,02*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDMQ8403 MOSFET, CANAL N CUµD, 100V, 6A, WDFN-12 (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 100 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P - Gama de Producto PowerTrench GreenBridge Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número...
onsemi
FDMQ8403
a partir de € 1,76*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPD50R800CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 500 V Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Res...
Infineon
IPD50R800CEAUMA1
a partir de € 0,368*
por unidad
 
 unidades
STMICROELECTRONICS STP200N3LL MOSFET, CANAL N, 30V, 120A, 175°C/176.5W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00215 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Cor...
ST Microelectronics
STP200N3LL
a partir de € 0,694*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDMS86202ET120 MOSFET, CANAL N 120V, 102A, POWER 56-8 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0072 ohm Gama de Producto PowerTrench Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal...
onsemi
FDMS86202ET120
a partir de € 2,61*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPD50N10S3L-16 transistore 100 V (2 ofertas)
Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1
a partir de € 4,19*
por 5 unidades
 
 envase
ONSEMI FDMS007N08LC MOSFET, CANAL N, 80V, 84A, 150°C, 92.6W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0049 ohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pi...
onsemi
FDMS007N08LC
a partir de € 0,874*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPD068P03L3GATMA1, VDSS 30 V, ID 70 A, PG-TO252 (2 ofertas) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 70 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = PG-TO252 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPD068P03L3GATMA1
a partir de € 0,458*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPD50N10S3L16ATMA1, VDSS 100 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 50 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Nú...
Infineon
IPD50N10S3L16ATMA1
a partir de € 1,476*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 94A; 1040W; TO268 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268 Tensión drenaje-fuente: 300V Corriente del drenaje: 94A Resistencia en estado de transferencia: 36mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 1,04kW...
IXYS
IXFT94N30P3
a partir de € 8,50*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDMS3660S MOSFET, DUAL N CH, 30V, 60A, POWER 56-8 (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 60 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión D...
onsemi
FDMS3660S
a partir de € 0,895*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPD530N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 21 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 21 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Serie = OptiMOS™ 3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima ...
Infineon
IPD530N15N3GATMA1
a partir de € 0,873*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 124A; Idm: 250A; 81W; SOP8 (2 ofertas) 
Fabricante: TOSHIBA Montaje: SMD Carcasa: SOP8 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 124A Resistencia en estado de transferencia: 4,1mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 81W...
Toshiba
TPH2R903PL,L1Q(M
a partir de € 0,335*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDMS86255ET150 MOSFET, N-CH, 150V, 63A, 175DEG C, 136W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0095 ohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pi...
onsemi
FDMS86255ET150
a partir de € 2,56*
por unidad
 
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