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  Transistores de potencia  (20.637 ofertas entre 5.791.723 artículos)

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IGBT, IGW30N60H3FKSA1, 60 A, 600 V, PG-TO247-3, 3-Pines 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 60 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3 Tipo de Montaj...
Infineon
IGW30N60H3FKSA1
a partir de € 1,649*
por unidad
 
 unidades
DIODES INC. DMC3025LSDQ-13 MOSFET, DOBLE, CANAL N/P, 30V, 6,5A (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 6.5 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión ...
Diodes
DMC3025LSDQ-13
a partir de € 0,174*
por unidad
 
 unidad
IGBT, IGP15N60TXKSA1, 26 A, 600 V, TO-220-3 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 26 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 130 W Tipo de Encapsulado = TO-220-3
Infineon
IGP15N60TXKSA1
a partir de € 0,832*
por unidad
 
 unidades
IGBT, IGP20N60H3XKSA1, 40 A, 600 V, PG-TO220-3, 3-Pines 1 (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 40 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Disipación de Potencia Máxima = 170 W Tipo de Encapsulado = PG-TO220-3 Tip...
Infineon
IGP20N60H3XKSA1
a partir de € 0,827*
por unidad
 
 unidad
IGBT, IGW100N60H3FKSA1, 140 A, 600 V, PG-TO247-3, 3-Pines 1 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 140 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Disipación de Potencia Máxima = 714 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3 Ti...
Infineon
IGW100N60H3FKSA1
a partir de € 5,278*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DMC3021LSDQ-13 MOSFET, DOBLE, CANAL N/P, 30V, 8,5A (1 oferta) 
Tipo de Canal Canal complementario N y P Disipación de Potencia Canal N 2.5 W Disipación de Potencia Canal P 2.5 W Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOIC Califica...
Diodes
DMC3021LSDQ-13
a partir de € 0,177*
por unidad
 
 unidad
IGBT, IHW20N65R5XKSA1, 40 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 40 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Disipación de Potencia Máxima = 150 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3 Tip...
Infineon
IHW20N65R5XKSA1
a partir de € 1,412*
por unidad
 
 unidades
DIODES INC. DMC3032LSD-13 MOSFET, DOBLE, CANAL N/P, 30V, 8,1A (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 8.1 A Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Drenaje Contin...
Diodes
DMC3032LSD-13
a partir de € 0,132*
por unidad
 
 unidades
IGBT, IGP20N65H5XKSA1, 42 A, 650 V, TO-220-3 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 42 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 125 W Tipo de Encapsulado = TO-220-3
Infineon
IGP20N65H5XKSA1
a partir de € 1,15*
por unidad
 
 unidades
DIODES INC. DMC3025LSD-13 MOSFET, DOBLE, CANAL N/P, 30V, 6,5A (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 6.5 A Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Drenaje Contin...
Diodes
DMC3025LSD-13
a partir de € 0,128*
por unidad
 
 unidad
IGBT, IGP30N60H3XKSA1, 60 A, 600 V, PG-TO220-3, 3-Pines 1 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 60 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Disipación de Potencia Máxima = 187 W Tipo de Encapsulado = PG-TO220-3 Tip...
Infineon
IGP30N60H3XKSA1
a partir de € 1,468*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DMC3400SDW-13 MOSFET, CANAL N/P, 30V, 0.65A, SOT363 (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 650 mA Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión...
Diodes
DMC3400SDW-13
a partir de € 0,2625*
por 5 unidades
 
 envase
IGBT, IGW15T120FKSA1, N-Canal, 30 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple (1 oferta) 
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 1.100 a 1.600 V. Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 1.100 a 1.600 V con tecnología TrenchStop™. ...
Infineon
IGW15T120FKSA1
a partir de € 85,11*
por 30 unidades
 
 envase
IGBT, IHW30N160R5XKSA1, N-Canal, 30 A, 1600 V, TO-247, 3-Pines 1 (1 oferta) 
IGBT de conducción inversa Infineon serie IHW con diodo integrado monolítico en un encapsulado TO-247 que se centra en la eficiencia del sistema y la fiabilidad para los exigentes requisitos de coc...
Infineon
IHW30N160R5XKSA1
a partir de € 3,272*
por unidad
 
 unidades
DIODES INC. DMC3400SDW-7 MOSFET, CANAL P Y N, 30V, 0.65A, SOT-363 (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 650 mA Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión...
Diodes
DMC3400SDW-7
a partir de € 0,051*
por unidad
 
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