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  Transistores de potencia  (20.599 ofertas entre 5.757.764 artículos)

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IGBT, IGB50N65S5ATMA1, N-Canal, 80 A, 650 V, PG-TO263, 3-Pines 1 Simple (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 30V Disipación de Potencia Máxima = 270 W Tipo de Encapsulado = PG-TO263 Tipo de ...
Infineon
IGB50N65S5ATMA1
a partir de € 2,265*
por unidad
 
 unidades
DIODES INC. DMC3016LNS-7 MOSFET, CANAL N/P, 30V, 9A, POWERDI 3333 (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 9 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Dr...
Diodes
DMC3016LNS-7
a partir de € 0,252*
por unidad
 
 unidad
IGBT, IGW20N60H3FKSA1, 40 A, 600 V, PG-TO247-3, 3-Pines 1 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 40 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Disipación de Potencia Máxima = 170 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3 Tip...
Infineon
IGW20N60H3FKSA1
a partir de € 1,389*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DMC2053UFDBQ-7 TRANSISTOR MOSFET DUAL, 20V, U-DFN2020-6 (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 4.6 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión ...
Diodes
DMC2053UFDBQ-7
a partir de € 0,515*
por 5 unidades
 
 envase
IGBT, FS150R12N2T7BPSA1, N-Canal, 150 A, 1.200 V, Módulo, 32-Pines 6 Paquete de seis (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 150 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo d...
Infineon
FS150R12N2T7BPSA1
a partir de € 116,712*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DMC3021LK4-13 MOSFET, DOBLE, CANAL N/P, 30V, 14A (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 14 A Gama de Producto - Número de Pines 4 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Drenaje Continu...
Diodes
DMC3021LK4-13
a partir de € 0,177*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FP50R12W2T7BPSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, 35-Pines 6 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Configuración = Emisor común Tipo de...
Infineon
FP50R12W2T7BPSA1
a partir de € 50,773*
por unidad
 
 unidades
DIODES INC. DMC2700UDMQ-7 MOSFET, DOBLE, CANAL N/P, 20V, 1,34A (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 1.34 A Gama de Producto - Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 20 V Corriente de Drenaje Conti...
Diodes
DMC2700UDMQ-7
a partir de € 0,433*
por 5 unidades
 
 envase
IGBT, IGP06N60TXKSA1, N-Canal, 1899-12-31 06:00:00, 600 V, TO-220, 3-Pines 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 1899-12-31 06:00:00 Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 88 W Tipo de Encapsulado = TO...
Infineon
IGP06N60TXKSA1
a partir de € 0,593*
por unidad
 
 unidades
DIODES INC. DMC3025LDV-13 MOSFET, DOBLE, CANAL N/P, 30V, 15A (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 15 A Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Drenaje Continu...
Diodes
DMC3025LDV-13
a partir de € 0,197*
por unidad
 
 unidad
IGBT, IGB50N60TATMA1, 90 A, 600 V, PG-TO263-3, 3-Pines (2 ofertas) 
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada de pérdida baja con tecnología de parada de zanjas y parada de campo.Eficiencia alta Pérdidas de conmutación bajas Mayor fiabilidad Baja interferenc...
Infineon
IGB50N60TATMA1
a partir de € 1,89*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DMC3025LSDQ-13 MOSFET, DOBLE, CANAL N/P, 30V, 6,5A (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 6.5 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión ...
Diodes
DMC3025LSDQ-13
a partir de € 0,194*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FP75R12N2T7BPSA1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, Módulo, 31-Pines 7 Trifásico (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 7 Configuración = Trifásico Tipo de Montaje = Mon...
Infineon
FP75R12N2T7BPSA1
a partir de € 101,466*
por unidad
 
 unidad
IGBT, IGP15N60TXKSA1, 26 A, 600 V, TO-220-3 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 26 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 130 W Tipo de Encapsulado = TO-220-3
Infineon
IGP15N60TXKSA1
a partir de € 0,832*
por unidad
 
 unidades
IGBT, IGW30N65L5XKSA1, 85 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines (3 ofertas) 
Transistor bipolar de Infineon de quinta generación con puerta aislada y tensión de saturación baja.Eficiencia alta Pérdidas de conmutación bajas Mayor fiabilidad Baja interferencia electromagnética
Infineon
IGW30N65L5XKSA1
a partir de € 1,484*
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