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  Transistores de potencia  (20.637 ofertas entre 5.791.723 artículos)

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DIODES INC. DMHC6070LSD-13 MOSFET, CANAL N/P, 60V, 3.1A (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 60 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 3.1 A Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 60 V Corriente de Drenaje Contin...
Diodes
DMHC6070LSD-13
a partir de € 0,478*
por unidad
 
 unidad
IGBT, IKD15N60RFATMA1, N-Canal, 30 A, 600 V, PG-TO252, 3-Pines 1 Simple (3 ofertas) 
El Infineon IKD03N60RF es más fiable gracias a IGBT y diodo integrados monolíticamente gracias a un menor ciclo térmico durante la conmutación. Ofrece un rendimiento de conmutación suave que conduc...
Infineon
IKD15N60RFATMA1
a partir de € 0,624*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DMHC10H170SFJ-13 MOSFET, CANAL N/P, 100V, 2.9A (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 100 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 2.9 A Gama de Producto - Número de Pines 12 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 100 V Corriente de Drenaje Con...
Diodes
DMHC10H170SFJ-13
a partir de € 0,615*
por unidad
 
 unidad
IGBT, IKP20N60H3XKSA1, 40 A, 600 V, PG-TO-220-3, 3-Pines 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 40 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Disipación de Potencia Máxima = 170 W Tipo de Encapsulado = PG-TO-220-3 Ti...
Infineon
IKP20N60H3XKSA1
a partir de € 1,263*
por unidad
 
 unidades
DIODES INC. DMHT6016LFJ-13 MOSFET, CANAL N, 60V, 10,6A (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 60 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 10.6 A Gama de Producto - Número de Pines 12 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 60 V Corriente de Drenaje Cont...
Diodes
DMHT6016LFJ-13
a partir de € 0,847*
por unidad
 
 unidad
IGBT, IKB40N65EF5ATMA1, 74 A, 650 V, PG-TO263-3, 3-Pines (1 oferta) 
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada de conmutación rápida de alta velocidad con corriente nominal completa Rapid 1 diodo antiparalelo suave y rápido.Eficiencia alta Pérdidas de conmuta...
Infineon
IKB40N65EF5ATMA1
a partir de € 2,911*
por unidad
 
 unidades
DIODES INC. DMHC4035LSD-13 MOSFET, CANAL N/P, 40V, 4.5A (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 40 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 4.5 A Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 40 V Corriente de Drenaje Contin...
Diodes
DMHC4035LSD-13
a partir de € 0,35*
por unidad
 
 unidad
IGBT, IKN03N60RC2ATMA1, 5,7 A, 600 V, PG-SOT223-3 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 5,7 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 6,3 W Tipo de Encapsulado = PG-SOT223-3
Infineon
IKN03N60RC2ATMA1
€ 600,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
DIODES INC. DMMT2907A-7 MATRIZ BIPOLAR DOBLE PNP 60V/0.6A, SOT26 (2 ofertas) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Polaridad de Transistor PNP Doble Disipación de Poten...
Diodes
DMMT2907A-7
a partir de € 0,0921*
por unidad
 
 unidad
IGBT, IKN01N60RC2ATMA1, 2,2 A, 600 V, PG-SOT223-3 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 2,2 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 5,1 W Tipo de Encapsulado = PG-SOT223-3
Infineon
IKN01N60RC2ATMA1
a partir de € 516,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
DIODES INC. DMHT3006LFJ-13 MOSFET, CANAL N, 30V, 13A (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 13 A Gama de Producto - Número de Pines 12 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Drenaje Contin...
Diodes
DMHT3006LFJ-13
a partir de € 0,443*
por unidad
 
 unidad
IGBT, IKP28N65ES5XKSA1, 38 A, 650 V, TO-220-3 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 38 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 130 W Tipo de Encapsulado = TO-220-3
Infineon
IKP28N65ES5XKSA1
a partir de € 2,06*
por unidad
 
 unidades
IGBT, IKB40N65ES5ATMA1, 79 A, 650 V, PG-TO263-3, 3-Pines (1 oferta) 
El transistor bipolar de quinta generación de puerta aislada de la serie de conmutación de alta velocidad Infineon.Eficiencia alta Pérdidas de conmutación bajas Mayor fiabilidad Baja interferencia ...
Infineon
IKB40N65ES5ATMA1
€ 1,729*
por unidad
 
 unidades
DIODES INC. DMMT3904W TRANS., NPNNPN MAT, 40V, 0,2A, SOT363 (1 oferta) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Polaridad de Transistor NPN Doble Disipación de Poten...
Diodes
DMMT3904W
a partir de € 0,60*
por 5 unidades
 
 envase
IGBT, IKN06N60RC2ATMA1, 8 A, 600 V, PG-SOT223-3 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 8 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = PG-SOT223-3
Infineon
IKN06N60RC2ATMA1
€ 750,00*
por 3.000 unidades
 
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