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  Transistores de potencia  (20.599 ofertas entre 5.757.764 artículos)

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DIODES INC. DMC3400SDW-13 MOSFET, CANAL N/P, 30V, 0.65A, SOT363 (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 650 mA Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión...
Diodes
DMC3400SDW-13
a partir de € 0,277*
por 5 unidades
 
 envase
IGBT, IGP20N65H5XKSA1, 42 A, 650 V, TO-220-3 1 (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 42 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 125 W Tipo de Encapsulado = TO-220-3
Infineon
IGP20N65H5XKSA1
a partir de € 0,846*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FZ250R65KE3NPSA1, 250 A, 6500 V, CTI, 5-Pines 3 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 250 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 6500 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 3 Tipo de Encapsulado = CTI Tipo de Montaje = Mon...
Infineon
FZ250R65KE3NPSA1
a partir de € 1.102,395*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DMC3400SDW-7 MOSFET, CANAL P Y N, 30V, 0.65A, SOT-363 (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 650 mA Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión...
Diodes
DMC3400SDW-7
a partir de € 0,0543*
por unidad
 
 unidad
IGBT, IGW40N60H3FKSA1, 80 A, 600 V, PG-TO247-3, 3-Pines 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Disipación de Potencia Máxima = 306 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3 Tip...
Infineon
IGW40N60H3FKSA1
a partir de € 2,515*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DMC4050SSD-13 MOSFET, DOBLE, CANAL N/P, 40V, 5,3A (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 40 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 5.3 A Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 40 V Corriente de Drenaje Contin...
Diodes
DMC4050SSD-13
a partir de € 0,245*
por unidad
 
 unidad
IGBT, IHW30N160R5XKSA1, N-Canal, 30 A, 1600 V, TO-247, 3-Pines 1 (4 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 30 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 263 W Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de C...
Infineon
IHW30N160R5XKSA1
a partir de € 2,71*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DMC4029SK4-13 MOSFET DOBLE CANAL N/P 40V 8.3A TO-252 (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 40 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 8.3 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Tensión ...
Diodes
DMC4029SK4-13
a partir de € 1,175*
por 5 unidades
 
 envase
IGBT, IGP40N65H5XKSA1, 74 A, 650 V, PG-TO220-3, 3-Pines (2 ofertas) 
El transistor bipolar Infineon de quinta generación de conmutación de alta velocidad con puerta aislada con carga de puerta baja.Eficiencia alta Pérdidas de conmutación bajas Mayor fiabilidad Baja ...
Infineon
IGP40N65H5XKSA1
a partir de € 1,68*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DMC6040SSD-13 MOSFET, N & P-CH, 5.1A, 60V, 150DEG C (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 60 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 5.1 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión ...
Diodes
DMC6040SSD-13
a partir de € 0,238*
por unidad
 
 unidad
IGBT, IGB30N60H3ATMA1, 60 A, 600 V, PG-TO263-3, 3-Pines 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 60 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3 Tipo de Montaj...
Infineon
IGB30N60H3ATMA1
a partir de € 1,461*
por unidad
 
 unidades
DIODES INC. DMC4029SSDQ-13 MOSFET, DOBLE, CANAL N/P, 40V, 7A (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 40 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 7 A Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 40 V Corriente de Drenaje Continua...
Diodes
DMC4029SSDQ-13
a partir de € 0,295*
por unidad
 
 unidad
IGBT, IGW50N60H3FKSA1, 100 A, 600 V, PG-TO247-3, 3-Pines 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 100 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3 Tipo de Monta...
Infineon
IGW50N60H3FKSA1
a partir de € 2,822*
por unidad
 
 unidad
DIODES INC. DMG1012T-13 MOSFET, CANAL N, 20V, 0.63A, SOT-523 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.3 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Cor...
Diodes
DMG1012T-13
a partir de € 0,213*
por 5 unidades
 
 envase
IGBT, IHW40N135R5XKSA1, 80 A, 1350 V, PG-TO247-3, 3-Pines (2 ofertas) 
Transistor bipolar de Infineon con puerta aislada de serie de conmutación resonante con baja tensión de saturación.Eficiencia alta Pérdidas de conmutación bajas Mayor fiabilidad Baja interferencia ...
Infineon
IHW40N135R5XKSA1
a partir de € 2,61*
por unidad
 
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