Categorías
España
Español
Mi Mercateo
Iniciar sesión/Registrarse		Cesta
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.815.786 artículos)

Los filtros siguientes ayudan a reafinar la lista de artículos para la búsqueda "MOSFET" según sus necesidades:
Filtrar: Precio desdehasta€  Palabra 
Propiedades
☐
Vista general

"MOSFET"

Términos genéricos
Visualización
☐
☐
☐
☐
Imagen
Artículo ^v
Fabricante/N.º ^v
Precio ^v
Realizar un pedido
atrás
ROHM RS1E240GNTB MOSFET, CANAL N, 30V, 72A, 150°C, 27W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0026 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
ROHM Semiconductor
RS1E240GNTB
a partir de € 0,296*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPW60R060C7XKSA1, VDSS 600 V, ID 35 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 35 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 R...
Infineon
IPW60R060C7XKSA1
a partir de € 5,703*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3,1A; 104W; TO252 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: TO252 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 3,1A Resistencia en estado de transferencia: 1,6Ω Tipo de transistor: N-MOSFE...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD5N50
a partir de € 0,20*
por unidad
 
 unidad
ROHM RQ5A040ZPTL MOSFET, CANAL P, -4A, -12V, SOT-346T (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.022 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...
ROHM Semiconductor
RQ5A040ZPTL
a partir de € 0,211*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPW95R310PFD7XKSA1, VDSS 950 V, ID 17,5 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 950 V Tipo de Encapsulado = TO-247 Conteo de Pines = 3
Infineon
SP005547006
a partir de € 361,20*
por 240 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263; 400ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 400ns Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 16A Resistencia en estado de transferencia: 0,4Ω Tipo de transistor:...
IXYS
IXTA16N50P
a partir de € 2,35*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RS1P600BHTB1, VDSS 100 V, ID 60 A, HSOP8 de 8 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = HSOP8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8
ROHM Semiconductor
RS1P600BHTB1
a partir de € 1,108*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IQE013N04LM6CGSCATMA1, VDSS 40 V, ID 205 A, WHTFN de 9 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 205 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = WHTFN Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 9 Modo de Ca...
Infineon
SP005559058
€ 7.170,00*
por 6.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO268; 500ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268 Tiempo de disponibilidad: 0,5µs Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 30A Resistencia en estado de transferencia: 0,215Ω Tipo de transisto...
IXYS
IXTT30N50L2
a partir de € 10,89*
por unidad
 
 unidad
ROHM RQ5C025TPTL MOSFET, CANAL P, -2.5A, -20V, SOT-346T (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.07 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...
ROHM Semiconductor
RQ5C025TPTL
a partir de € 0,985*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IPZA60R037P7XKSA1, VDSS 600 V, ID 76 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 76 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Serie = CoolMOS™ Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia M...
Infineon
IPZA60R037P7XKSA1
a partir de € 7,99*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RS6P100BHTB1, VDSS 100 V, ID 100 A, HSOP8S (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = HSOP8S Tipo de Montaje = Montaje superficial
ROHM Semiconductor
RS6P100BHTB1
a partir de € 1,379*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPW60R070CFD7XKSA1, VDSS 600 V, ID 31 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
El Infineon 600V Cool MOS CFD7 tiene diodo de cuerpo rápido integrado y se suministra con carga de puerta reducida (QG), comportamiento de desconexión mejorado y una carga de recuperación inversa (...
Infineon
IPW60R070CFD7XKSA1
a partir de € 4,317*
por unidad
 
 unidades
ROHM RQ5C060BCTCL MOSFET, CANAL P, -20V, -6A, TSMT-3 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0161 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Monta...
ROHM Semiconductor
RQ5C060BCTCL
a partir de € 0,199*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 695W; TO247-3; 130ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 130ns Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 16A Resistencia en estado de transferencia: 0,3Ω Tipo de transisto...
IXYS
IXTH16N50D2
a partir de € 8,17*
por unidad
 
 unidad
siguiente
Artículo por página: 10   15   20   50   100    Página: atrás   1   ..   1011   1012   1013   1014   1015   1016   1017   1018   1019   1020   1021   ..   1692   siguiente

Búsqueda similar: FACT®Finder de Omikron
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.