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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.815.786 artículos)

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MOSFET Infineon IQE006NE2LM5SCATMA1, VDSS 25 V, ID 310 A, WHSON de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 310 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 25 V Tipo de Encapsulado = WHSON Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de Ca...
Infineon
SP005419117
€ 6.522,00*
por 6.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2,9A; Idm: 20A; 38W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 2,9A Resistencia en estado de transferencia: 1,4Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 3...
onsemi
FQPF5N50CYDTU
a partir de € 0,77*
por unidad
 
 unidad
ROHM RV2C002UNT2L MOSFET, CAN N, 20V, 0.18A, VML1006-3 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.4 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Mo...
ROHM Semiconductor
RV2C002UNT2L
a partir de € 0,0567*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO247-3; 500ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 0,5µs Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 40A Resistencia en estado de transferencia: 0,17Ω Tipo de transist...
IXYS
IXTH40N50L2
a partir de € 12,04*
por unidad
 
 unidad
ROHM RRH100P03GZETB MOSFET, CANAL P, -30V, -10A, SOP-8 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.009 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje...
ROHM Semiconductor
RRH100P03GZETB
a partir de € 0,51*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IQE050N08NM5ATMA1, VDSS 80 V, ID 101 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 101 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = PQFN 3 x 3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Númer...
Infineon
IQE050N08NM5ATMA1
a partir de € 1,792*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO268; 300ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268 Tiempo de disponibilidad: 300ns Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 26A Resistencia en estado de transferencia: 0,23Ω Tipo de transistor...
IXYS
IXTT26N50P
a partir de € 4,99*
por unidad
 
 unidad
ROHM RV2C014BCT2CL MOSFET, CANAL P, -20V, -1.4A, DFN (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.22 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...
ROHM Semiconductor
RV2C014BCT2CL
a partir de € 0,0898*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPW65R041CFD7XKSA1, VDSS 700 V, ID 211 A, PG-TO 247 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 211 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 700 V Tipo de Encapsulado = PG-TO 247 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPW65R041CFD7XKSA1
a partir de € 7,564*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 35A; Idm: 175A; 780W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 35A Resistencia en estado de transferencia: 0,1Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT56M50L
a partir de € 11,07*
por unidad
 
 unidad
ROHM RRH140P03TB1 MOSFET, CANAL P, 30V, 14A, SOP (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.005 ohm Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P En...
ROHM Semiconductor
RRH140P03TB1
a partir de € 0,967*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IQE008N03LM5CGATMA1, VDSS 30 V, ID 253 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 253 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = PQFN 3 x 3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Númer...
Infineon
IQE008N03LM5CGATMA1
€ 5.190,00*
por 5.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 20A Resistencia en estado de transferencia: 0,3Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 380W P...
IXYS
IXFA20N50P3
a partir de € 2,34*
por unidad
 
 unidad
ROHM RV3C002UNT2CL MOSFET, CANAL N, 20V, 0.15A, DFN0603 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.4 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...
ROHM Semiconductor
RV3C002UNT2CL
a partir de € 0,105*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF1104PBF, VDSS 40 V, ID 100 A, TO-220AB (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = TO-220AB Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Infineon
IRF1104PBF
a partir de € 0,763*
por unidad
 
 unidades
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