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  MOSFET  (25.181 ofertas entre 5.801.877 artículos)

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MOSFET Infineon IQE006NE2LM5CGSCATMA1, VDSS 25 V, ID 310 A, TSDSO de 24 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 310 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 25 V Tipo de Encapsulado = TSDSO Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 24 Modo de C...
Infineon
SP005419125
a partir de € 1,788*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 57A; Idm: 228A; 570W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 57A Resistencia en estado de transferencia: 75mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M75LLLG
a partir de € 19,86*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF2907ZSTRLPBF, VDSS 75 V, ID 170 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 170 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 75 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Dren...
Infineon
IRF2907ZSTRLPBF
a partir de € 2,53*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3,3A; 8,3W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 3,3A Resistencia en estado de transferencia: 0,399Ω Tipo de transistor: N-MOSFET ...
Infineon
IPA50R399CPXKSA1
a partir de € 0,96*
por unidad
 
 unidad
STMICROELECTRONICS STD96N3LLH6 MOSFET, CANAL N, 30V, 80A, TO-252-3 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0042 ohm Gama de Producto STripFET VI DeepGATE Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de P...
ST Microelectronics
STD96N3LLH6
a partir de € 0,57*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IQE008N03LM5CGATMA1, VDSS 30 V, ID 253 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 253 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = PQFN 3 x 3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Númer...
Infineon
IQE008N03LM5CGATMA1
€ 4.825,00*
por 5.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO268 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 60A Resistencia en estado de transferencia: 0,11Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 1,04k...
IXYS
IXFT60N50P3
a partir de € 6,49*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IQE030N06NM5CGATMA1, VDSS 60 V, ID 137 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 137 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PQFN 3 x 3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Númer...
Infineon
IQE030N06NM5CGATMA1
a partir de € 1,748*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO268 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 42A Resistencia en estado de transferencia: 0,145Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 830W...
IXYS
IXFT42N50P2
a partir de € 6,03*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IQE008N03LM5ATMA1, VDSS 30 V, ID 253 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 253 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = PQFN 3 x 3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Númer...
Infineon
IQE008N03LM5ATMA1
a partir de € 1,709*
por unidad
 
 unidades
STMICROELECTRONICS STD3NM60N MOSFET, CANAL P, 600V, 3.3A, 50W, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.6 ohm Gama de Producto MDmesh II Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines M...
ST Microelectronics
STD3NM60N
a partir de € 0,412*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF300P227, VDSS 300 V, ID 50 A, TO-247AC de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 50 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 300 V Tipo de Encapsulado = TO-247AC Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3...
Infineon
IRF300P227
a partir de € 5,713*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO247-3; 500ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 0,5µs Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 30A Resistencia en estado de transferencia: 0,215Ω Tipo de transis...
IXYS
IXTH30N50L2
a partir de € 10,06*
por unidad
 
 unidad
STMICROELECTRONICS STE145N65M5 MOSFET, CANAL N, 650V, 143A, ISOTOP (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.012 ohm Gama de Producto MDmesh M5 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines...
ST Microelectronics
STE145N65M5
a partir de € 35,62*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IQE013N04LM6CGATMA1, VDSS 40 V, ID 205 A, PG-TTFN (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 205 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PG-TTFN Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IQE013N04LM6CGATMA1
a partir de € 0,986*
por unidad
 
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