MOSFET | MERCATEO (Página 1.017/1.692)

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ROHM RQ6E045RPTR MOSFET, CANAL P, -30V, -4.5A, 150°C (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.025 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje...

ROHM Semiconductor

RQ6E045RPTR

a partir de € 0,288*
por unidad

MOSFET Infineon IQE013N04LM6ATMA1, ID 205 A, PG-TSON (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 205 A Tipo de Encapsulado = PG-TSON Tipo de Montaje = Montaje superficial

Infineon

IQE013N04LM6ATMA1

a partir de € 1,446*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 400W; TO247-3; 500ns (1 oferta)

Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 0,5µs Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 24A Resistencia en estado de transferencia: 0,3Ω Tipo de transisto...

IXYS

IXTH24N50L

a partir de € 14,55*
por unidad

ROHM RTL035N03FRATR MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 30V, TUMT (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.04 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje...

ROHM Semiconductor

RTL035N03FRATR

a partir de € 0,535*
por 5 unidades

MOSFET Infineon IPW60R180C7XKSA1, VDSS 600 V, ID 13 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 13 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 R...

Infineon

IPW60R180C7XKSA1

a partir de € 2,43*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 34A; 313W; ISOPLUS247™ (1 oferta)

Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: ISOPLUS247™ Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 34A Resistencia en estado de transferencia: 0,12Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado:...

IXYS

IXFR44N50Q

a partir de € 17,48*
por unidad

ROHM RQ6E050AJTCR MOSFET, CANAL N, 30V, 5A, TSMT-6 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.026 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaj...

ROHM Semiconductor

RQ6E050AJTCR

a partir de € 0,80*
por 5 unidades

MOSFET Infineon IPZA65R018CFD7XKSA1, VDSS 700 V, ID 106 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 106 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 700 V Serie = CoolMOS™ Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia ...

Infineon

IPZA65R018CFD7XKSA1

€ 3.690,48*
por 240 unidades

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2,7A; Idm: 18A; 61W; DPAK (1 oferta)

Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: DPAK Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 2,7A Resistencia en estado de transferencia: 1,2Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 61W ...

onsemi

FQD6N50CTM

a partir de € 0,63*
por unidad

MOSFET ROHM RTR030N05HZGTL, VDSS 45 V, ID 3 A, SOT-346T de 3 pines (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 45 V Tipo de Encapsulado = SOT-346T Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de C...

ROHM Semiconductor

RTR030N05HZGTL

a partir de € 0,249*
por unidad

MOSFET Infineon IRF100P218XKMA1, VDSS 100 V, ID 483 A., TO-247 de 3 pines (1 oferta)

MOSFET Infineon de potencia de canal N de 100 V. Este MOSFET es ideal para aplicaciones de frecuencia de conmutación alta.Muy bajo nivel de RDS(on) Excelente carga de puerta x RDS(on) (FOM) Qrr. Op...

Infineon

IRF100P218XKMA1

a partir de € 122,05*
por 25 unidades

STMICROELECTRONICS STY60NM50 MOSFET, N, MAX-247 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.05 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Or...

ST Microelectronics

STY60NM50

a partir de € 10,28*
por unidad

MOSFET ROHM RQ6G050ATTCR, VDSS 40 V, ID 5 A, TSMT-8 de 6 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = TSMT-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Resistencia...

ROHM Semiconductor

RQ6G050ATTCR

a partir de € 0,285*
por unidad

MOSFET Infineon IQE013N04LM6CGSCATMA1, VDSS 40 V, ID 205 A, WHTFN de 9 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 205 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = WHTFN Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 9 Modo de Ca...

Infineon

SP005559058

a partir de € 1,996*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; 300W; ISOPLUS247™ (1 oferta)

Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: ISOPLUS247™ Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 25A Resistencia en estado de transferencia: 154mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado:...

IXYS

IXFR44N50Q3

a partir de € 16,00*
por unidad

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