Categorías
España
Español
Mi Mercateo
Iniciar sesión/Registrarse		Cesta
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.041 ofertas entre 5.820.192 artículos)

Los filtros siguientes ayudan a reafinar la lista de artículos para la búsqueda "MOSFET" según sus necesidades:
Filtrar: Precio desdehasta€  Palabra 
Propiedades
☐
Vista general

"MOSFET"

Términos genéricos
Visualización
☐
☐
☐
☐
Imagen
Artículo ^v
Fabricante/N.º ^v
Precio ^v
Realizar un pedido
atrás
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,6A; 93W; PG-TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 7,6A Resistencia en estado de transferencia: 0,33Ω Tipo de transistor: N-MOSFE...
Infineon
IPW60R330P6FKSA1
a partir de € 1,08*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK17A65W5,S5X(M MOSFET, CANAL N, 650V, 17.3A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.19 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK17A65W5,S5X(M
a partir de € 1,53*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISC0806NLSATMA1, VDSS 100 V, ID 97 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 97 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = OptiMOS™ 5 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima ...
Infineon
ISC0806NLSATMA1
a partir de € 1,54*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,12A; 0,265W; SOT23,TO236AB (1 oferta) 
Fabricante: NEXPERIA Montaje: SMD Carcasa: SOT23;TO236AB Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 0,12A Resistencia en estado de transferencia: 4,5Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder dis...
Nexperia
NX138AKR
a partir de € 0,027*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK3R2A10PL,S4X(S MOSFET, CANAL N, 100V, 100A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0026 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corr...
Toshiba
TK3R2A10PL,S4X(S
a partir de € 1,14*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISK024NE2LM5, VDSS 25 V, ID 55 A, PQFN 2 x 2 de 6 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 55 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 25 V Tipo de Encapsulado = PQFN 2 x 2 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Número...
Infineon
ISK024NE2LM5
a partir de € 0,49*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 47A Resistencia en estado de transferencia: 70mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT47N60BC3G
a partir de € 16,42*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK17E65W,S1X(S MOSFET, CANAL N, 650V, 17.3A, TO-220 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.17 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK17E65W,S1X(S
a partir de € 1,31*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4,4A; 44,6W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 4,4A Resistencia en estado de transferencia: 1,2Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pod...
Taiwan Semiconductor
TSM7NC60CF C0G
a partir de € 0,77*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK3R9E10PL,S1X(S MOSFET, CANAL N, 100V, 100A, TO-220 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0033 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corr...
Toshiba
TK3R9E10PL,S1X(S
a partir de € 0,903*
por unidad
 
 unidad
Infineon SPW55N80C3 transistore 650 V (3 ofertas)
Infineon
SPW55N80C3FKSA1
a partir de € 8,55*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK17N65W,S1F(S MOSFET, CANAL N, 650V, 17.3A, TO-247 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.17 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK17N65W,S1F(S
a partir de € 1,53*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISK036N03LM5, VDSS 30 V, ID 44 A, PQFN 2 x 2 de 6 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 44 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = PQFN 2 x 2 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Número...
Infineon
ISK036N03LM5
a partir de € 0,511*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon ISP12DP06NMXTSA1, VDSS 60 V, ID 2,8 A, SOT-223 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 2,8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOT-223 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Número d...
Infineon
ISP12DP06NMXTSA1
a partir de € 0,609*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: ISOPLUS247™ Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 48A Resistencia en estado de transferencia: 85mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...
IXYS
IXFR80N60P3
a partir de € 12,23*
por unidad
 
 unidad
siguiente
Artículo por página: 10   15   20   50   100    Página: atrás   1   ..   1081   1082   1083   1084   1085   1086   1087   1088   1089   1090   1091   ..   1670   siguiente

Búsqueda similar: FACT®Finder de Omikron
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.