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  MOSFET  (25.180 ofertas entre 5.804.297 artículos)

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TOSHIBA TPN8R408QM,L1Q(M MOSFET, CANAL N, 80V, 32A, TSON (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0065 ohm Gama de Producto U-MOSX-H Series Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de C...
Toshiba
TPN8R408QM,L1Q(M
a partir de € 0,44*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISK036N03LM5, VDSS 30 V, ID 44 A, PQFN 2 x 2 de 6 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 44 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = PQFN 2 x 2 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Número...
Infineon
ISK036N03LM5
€ 1.218,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
VISHAY IRFBF20SPBF MOSFET, N-CH, 900V, 1.7A, TO-263 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 8 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de ...
Vishay
IRFBF20SPBF
a partir de € 0,63*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLR120NTRPBF, VDSS 100 V, ID 10 A, DPAK (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = DPAK Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Infineon
IRLR120NTRPBF
a partir de € 0,322*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4,4A; 44,6W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 4,4A Resistencia en estado de transferencia: 1,2Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pod...
Taiwan Semiconductor
TSM7NC60CF C0G
a partir de € 0,76*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TW027N65C,S1F(S MOSFET, CANAL N, 650V, 58A, TO-247 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 18 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.037 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TW027N65C,S1F(S
a partir de € 14,30*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay IRFBF30PBF, VDSS 900 V, ID 3,6 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFBF30PBF
a partir de € 0,85*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISC010N04NM6ATMA1, VDSS 40 V, ID 40 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = OptiMOS™ 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Tensión de umbral de...
Infineon
ISC010N04NM6ATMA1
€ 0,761*
por unidad
 
 unidades
TOSHIBA TW045N120C,S1F(S MOSFET, CANAL N, 1.2KV, 40A, TO-247 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 18 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.059 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TW045N120C,S1F(S
a partir de € 14,97*
por unidad
 
 unidad
Infineon ISP25DP06LMS transistore 60 V (2 ofertas)
Infineon
ISP25DP06LMSATMA1
a partir de € 0,208*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4,5A; 20W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 4,5A Resistencia en estado de transferencia: 0,9Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pod...
Taiwan Semiconductor
TSM60N900CI C0G
a partir de € 1,23*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLR3110ZTRLPBF, VDSS 100 V, ID 63 A, DPAK (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 63 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = DPAK Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Infineon
IRLR3110ZTRLPBF
a partir de € 0,58*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4,6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: D2PAK Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 4,6A Resistencia en estado de transferencia: 1,2Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 147...
onsemi
FQB8N60CTM
a partir de € 0,97*
por unidad
 
 unidad
Typ: G3VM-101PRTR05 MOSFET RELAY, SPST-NO, 0.1A, 100V, SMD, (1 oferta) 
Gama de Producto G3VM Series Montaje de Relé Surface Mount Terminales del Relé Solder Forma de Contacto SPST-NO (1 Form A) Capacitancia de Entrada/Salida Típica 0.4 pF Tensión de Carga Máx. 100 V T...
Omron
G3VM-101PRTR05
a partir de € 6,57*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLR2905TRLPBF, VDSS 55 V, ID 42 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
La serie MOSFET Infineon HEXFET Power tiene una tensión de fuente de drenaje máxima 55V y es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo en un tipo de encapsulado D-Pak. El HEXFET Infineon de ...
Infineon
IRLR2905TRLPBF
€ 0,64*
por unidad
 
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