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  MOSFET  (25.180 ofertas entre 5.804.297 artículos)

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MOSFET Infineon ISC0804NLSATMA1, VDSS 100 V, ID 59 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 59 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = OptiMOS™ 5 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima ...
Infineon
ISC0804NLSATMA1
€ 3.020,00*
por 5.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1,04kW; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 38A Resistencia en estado de transferencia: 0,11Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT56F60L
a partir de € 15,96*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; 313W; PG-TO247-3 (2 ofertas) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 39A Resistencia en estado de transferencia: 75mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET ...
Infineon
IPW60R075CPFKSA1
a partir de € 5,71*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TPN4R806PL,L1Q(M MOSFET, CANAL N, 60V, 72A, TSON (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0035 ohm Gama de Producto U-MOSIX-H Series Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de ...
Toshiba
TPN4R806PL,L1Q(M
a partir de € 0,414*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLML2803TRPBF, VDSS 30 V, ID 1,2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y lo...
Infineon
IRLML2803TRPBF
a partir de € 0,675*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1 (2 ofertas) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO220-3-1 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 31A Resistencia en estado de transferencia: 99mΩ Tipo de transistor: N-MOSFE...
Infineon
IPP60R099CPXKSA1
a partir de € 4,69*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay IRF9Z14PBF, VDSS 60 V, ID 6,7 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRF9Z14PBF
a partir de € 0,561*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLTS6342TRPBF, VDSS 30 V, ID 8,3 A, TSOP-6 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8,3 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = TSOP-6 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Infineon
IRLTS6342TRPBF
a partir de € 0,185*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; D3PAK (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: SMD Carcasa: D3PAK Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 38A Resistencia en estado de transferencia: 45mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60N60SCSG
a partir de € 20,83*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TPN6R003NL,LQ(S MOSFET, CANAL N, 30V, 27A, TSON (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0052 ohm Gama de Producto U-MOSVIII-H Series Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo d...
Toshiba
TPN6R003NL,LQ(S
a partir de € 0,288*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLL024ZTRPBF, VDSS 55 V, ID 5 A, SOT-223 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 55 V Tipo de Encapsulado = SOT-223 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IRLL024ZTRPBF
a partir de € 0,476*
por unidad
 
 unidades
TOSHIBA TPN7R504PL,LQ(S MOSFET, CANAL N, 40V, 38A, TSON (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0056 ohm Gama de Producto U-MOSIX-H Series Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de ...
Toshiba
TPN7R504PL,LQ(S
a partir de € 0,193*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO268 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 36A Resistencia en estado de transferencia: 0,19Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 650W ...
IXYS
IXFT36N60P
a partir de € 7,44*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLZ44ZSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 51 A, D2Pak (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 51 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 55 V Tipo de Encapsulado = D2Pak Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Infineon
IRLZ44ZSTRLPBF
a partir de € 0,706*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 38A Resistencia en estado de transferencia: 45mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Pod...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60N60BCSG
a partir de € 19,00*
por unidad
 
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