MOSFET | MERCATEO (Página 1.080/1.670)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 43A; Idm: 172A; 565W; TO264 (1 oferta)

Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 43A Resistencia en estado de transferencia: 0,13Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT6013LFLLG

a partir de € 23,15*
por unidad

TOSHIBA TK16E60W,S1VX(S MOSFET, CANAL N, 600V, 15.8A, TO-220 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.16 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Encaps...

Toshiba

TK16E60W,S1VX(S

a partir de € 1,12*
por unidad

MOSFET Infineon ISC019N03L5SATMA1, VDSS 30 V, ID 100 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Infineon

ISC019N03L5SATMA1

€ 1.630,00*
por 5.000 unidades

TOSHIBA TK3A60DA(STA4,Q,M) MOSFET, CANAL N, 600V, 2.5A, SC-67 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 2.2 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrien...

Toshiba

TK3A60DA(STA4,Q,M)

a partir de € 0,399*
por unidad

MOSFET Infineon SPP08N80C3XKSA1, VDSS 800 V, ID 8 A, Montaje en orificio pasante (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Tipo de Encapsulado = Montaje en orificio pasante Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante

Infineon

SPP08N80C3XKSA1

a partir de € 1,614*
por unidad

TOSHIBA TK16G60W5,RVQ(S MOSFET, CANAL N, 600V, 15.8A, TO-263 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.18 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...

Toshiba

TK16G60W5,RVQ(S

a partir de € 1,38*
por unidad

MOSFET Infineon ISC0804NLSATMA1, VDSS 100 V, ID 59 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 59 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = OptiMOS™ 5 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima ...

Infineon

ISC0804NLSATMA1

a partir de € 0,993*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,115A; Idm: 0,8A; 0,08W; SOT23 (1 oferta)

Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: SOT23 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 0,115A Resistencia en estado de transferencia: 13,5Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 8...

Vishay

2N7002-T1-GE3

a partir de € 0,425*
por 5 unidades

TOSHIBA TK3P80E,RQ(S MOSFET, CANAL N, 800V, 3A, TO-252 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 3.9 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corr...

Toshiba

TK3P80E,RQ(S

a partir de € 0,375*
por unidad

MOSFET Infineon ISC0805NLSATMA1, VDSS 100 V, ID 71 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 71 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = OptiMOS™ 5 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima ...

Infineon

ISC0805NLSATMA1

a partir de € 1,149*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W; TO264 (1 oferta)

Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 44A Resistencia en estado de transferencia: 90mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT66M60L

a partir de € 17,95*
por unidad

TOSHIBA TK170V65Z,LQ(S MOSFET, CANAL N, 650V, 18A, DFN (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.142 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 5 Pines Montaje...

Toshiba

TK170V65Z,LQ(S

a partir de € 1,55*
por unidad

MOSFET Infineon ISC022N10NM6ATMA1, VDSS 100 V, ID 230 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 230 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 ...

Infineon

ISC022N10NM6ATMA1

€ 10,335*
por 5 unidades

TOSHIBA TK3R1E04PL,S1X(S MOSFET, CANAL N, 40V, 100A, TO-220 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0025 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corr...

Toshiba

TK3R1E04PL,S1X(S

a partir de € 0,521*
por unidad

MOSFET Infineon SPP24N60C3XKSA1, VDSS 650 V, ID 24,3 A, PG-TO220-3-1 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua de Drenaje = 24,3 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = PG-TO220-3-1 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Infineon

SPP24N60C3XKSA1

a partir de € 4,782*
por unidad

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