MOSFET | MERCATEO (Página 1.136/1.692)

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MOSFET Vishay SI2329DS-T1-GE3, VDSS 8 V, ID 6 A, SOT-23-3 (TO-236) (3 ofertas)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 6 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 8 V Tipo de Encapsulado = SOT-23-3 (TO-236) Tipo de Montaje = Montaje superficial

Vishay

SI2329DS-T1-GE3

a partir de € 0,20*
por unidad

MOSFET Nexperia BUK9M20-60ELX, VDSS 60 V, ID 40 A, SOT1210 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOT1210 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Nexperia

BUK9M20-60ELX

a partir de € 0,80*
por unidad

MOSFET Vishay IRFU014PBF, VDSS 60 V, ID 7,7 A, IPAK (TO-251) (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7,7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = IPAK (TO-251) Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante

Vishay

IRFU014PBF

a partir de € 0,43*
por unidad

MOSFET Nexperia PXP6R7-30QLJ, VDSS 30 V, ID 20,7 A, MLPAK33 de 8 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20,7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = MLPAK33 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Nexperia

PXP6R7-30QLJ

a partir de € 0,286*
por unidad

VISHAY SI2337DS-T1-GE3 MOSFET, P-CH, 80V, 2.2A, SOT-23 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 6 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.216 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...

Vishay

SI2337DS-T1-GE3

a partir de € 0,413*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3 (1 oferta)

Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 120A Resistencia en estado de transferencia: 2,4mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET...

Infineon

IPP024N06N3GXKSA1

a partir de € 2,64*
por unidad

MOSFET onsemi FCPF360N65S3R0L-F154, VDSS 650 V, ID 10 A, TO-220F de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-220F Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 ...

onsemi

FCPF360N65S3R0L-F154

a partir de € 1,824*
por unidad

VISHAY SI2342DS-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 8V, 6A, SOT-23 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.014 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pine...

Vishay

SI2342DS-T1-GE3

a partir de € 0,15*
por unidad

MOSFET Nexperia BUK9M31-60ELX, VDSS 60 V, ID 35 A, SOT1210 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 35 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOT1210 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Nexperia

BUK9M31-60ELX

a partir de € 0,698*
por unidad

MOSFET Nexperia PXP9R1-30QLJ, VDSS 30 V, ID 17,7 A, MLPAK33 de 8 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17,7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = MLPAK33 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Nexperia

PXP9R1-30QLJ

a partir de € 0,226*
por unidad

VISHAY SI2343CDS-T1-GE3 MOSFET, P CHANNEL, -30V, -5.9A, SOT-23-3 (1 oferta)

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Tipo de Canal P Channel Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Corriente de Drenaje Continua Id 5.9 A Nivel de Sensibilidad a la Humedad (M...

Vishay

SI2343CDS-T1-GE3

a partir de € 0,257*
por unidad

MOSFET onsemi NTB7D3N15MC, VDSS 150 V, ID 101 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 101 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Serie = NTB7D Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Dren...

onsemi

NTB7D3N15MC

€ 1.323,20*
por 800 unidades

MOSFET onsemi FDMS4D5N08LC, VDSS 80 V, ID 116 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 116 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = PQFN8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistenci...

onsemi

FDMS4D5N08LC

a partir de € 1,90*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10,5A; 2W; SO8 (1 oferta)

Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 10,5A Resistencia en estado de transferencia: 9,8mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET...

Alpha & Omega Semiconductor

AO4264E

a partir de € 0,216*
por unidad

VISHAY SI2356DS-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 40V, 4.3A, SOT-23 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.042 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor M...

Vishay

SI2356DS-T1-GE3

a partir de € 0,0985*
por unidad

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