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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.822.014 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220AB (2 ofertas) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 18A Resistencia en estado de transferencia: 11mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 245...
onsemi
FDP050AN06A0
a partir de € 1,19*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SI1013CX-T1-GE3 MOSFET, P-CH, 20V, 0.45A, SC-89 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.63 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines...
Vishay
SI1013CX-T1-GE3
a partir de € 0,068*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SI3552DV-T1-E3 MOSFET, CANAL N Y P, 30V, 2.5A, TSOP (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 2.5 A Gama de Producto TrenchFET Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6...
Vishay
SI3552DV-T1-E3
a partir de € 0,293*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTBGS2D5N06C, VDSS 60 V, ID 169 A, TO-263-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 169 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = NTBGS2D Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Dre...
onsemi
NTBGS2D5N06C
€ 2.304,00*
por 800 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi NCV51705MNTWG, QFN24 de 24 pines, , config. Simple (1 oferta) 
El controlador NCV51705 está diseñado para accionar principalmente transistores MOSFET de SiC. Para lograr las pérdidas de conducción más bajas posibles, el controlador es capaz de proporcionar la ...
onsemi
NCV51705MNTWG
a partir de € 1,781*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 86W; DFN5x6 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: DFN5x6 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 100A Resistencia en estado de transferencia: 2,1mΩ Tipo de transistor: N-MOSF...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6162
a partir de € 1,44*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SI3585CDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3,9 A, 2,1 A, TSOP-6 de 6 pines, 2elementos (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N, P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3,9 A, 2,1 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Resistenci...
Vishay
SI3585CDV-T1-GE3
a partir de € 0,179*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Nexperia PSMN1R5-50YLHX, VDSS 50 V, ID 200 A, LFPAK56E de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 200 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 50 V Tipo de Encapsulado = LFPAK56E Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Número ...
Nexperia
PSMN1R5-50YLHX
a partir de € 2,347*
por unidad
 
 unidades
VISHAY SI3932DV-T1-GE3 MOSFET, CANAL N DOBLE, 30V, 3.7A, TSOP (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 3.7 A Gama de Producto TrenchFET Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6...
Vishay
SI3932DV-T1-GE3
a partir de € 0,233*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 34W; SOP8A (2 ofertas) 
Fabricante: TOSHIBA Montaje: SMD Carcasa: SOP8A Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 17A Resistencia en estado de transferencia: 17Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 34W P...
Toshiba
TPH11006NL,LQ(S
a partir de € 0,237*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SI1029X-T1-GE3 MOSFET, NP CH, 60V, SC-89 (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 60 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 305 mA Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión...
Vishay
SI1029X-T1-GE3
a partir de € 0,199*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi NDS0610, VDSS 60 V, ID 120 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor. La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de m...
onsemi
NDS0610
€ 288,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 180A; 113W; TO220AB (1 oferta) 
Fabricante: DIODES INCORPORATED Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 100A Resistencia en estado de transferencia: 3,1mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
Diodes
DMT6004SCT
a partir de € 1,02*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay Si4090BDY-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 18,7 A, SO-8 de 8 pines, 2elementos (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 18,7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima...
Vishay
Si4090BDY-T1-GE3
a partir de € 2,78*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Nexperia PSMN2R0-55YLHX, VDSS 55 V, ID 200 A, LFPAK56E de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 200 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 55 V Tipo de Encapsulado = LFPAK56E Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Número ...
Nexperia
PSMN2R0-55YLHX
a partir de € 2,392*
por unidad
 
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