MOSFET | MERCATEO (Página 1.135/1.679)

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VISHAY SIHB15N80AE-GE3 MOSFET, CANAL N, 800V, 13A, TO-263 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.304 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...

Vishay

SIHB15N80AE-GE3

a partir de € 1,08*
por unidad

MOSFET onsemi FDMS4D0N12C, VDSS 120 V, ID 67 A, PQFN 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple (2 ofertas)

Este MOSFET MV de canal N se fabrica mediante un proceso PowerTrench® avanzado que incorpora la tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de cone...

onsemi

FDMS4D0N12C

a partir de € 1,962*
por unidad

MOSFET Vishay SIDR680ADP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 137 A., POWERPAK SO-8DC de 8 pines (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 137 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Serie = SiDR680ADP Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima...

Vishay

SIDR680ADP-T1-RE3

a partir de € 5,39*
por 5 unidades

MOSFET Nexperia PXP9R1-30QLJ, VDSS 30 V, ID 17,7 A, MLPAK33 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17,7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = MLPAK33 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Nexperia

PXP9R1-30QLJ

€ 783,00*
por 3.000 unidades

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150mA; Idm: 0,8A; 340mW (1 oferta)

Fabricante: DIODES INCORPORATED Montaje: SMD Carcasa: SOT23-3 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 0,15A Resistencia en estado de transferencia: 7,5Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...

Diodes

DMN67D7L-7

a partir de € 0,526*
por 20 unidades

MOSFET Vishay SIHB17N80E-GE3, VDSS 800 V, ID 15 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 15 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Serie = SiHB17N80E Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima ...

Vishay

SIHB17N80E-GE3

a partir de € 2,32*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK (1 oferta)

Fabricante: TEXAS INSTRUMENTS Montaje: SMD Carcasa: D2PAK Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 200A Resistencia en estado de transferencia: 5,1mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder di...

Texas Instruments

CSD18542KTTT

a partir de € 1,58*
por unidad

MOSFET Vishay SIHA125N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 11 A, TO-220 FP de 3 pines (3 ofertas)

El Vishay serie EF MOSFET de potencia con diodo de cuerpo rápido tiene una tecnología de la serie E de 4th generación. Ha reducido las pérdidas de conducción y conmutación.Valor nominal de energía ...

Vishay

SIHA125N60EF-GE3

a partir de € 2,021*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; TO262 (1 oferta)

Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: TO262 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 210A Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 300W Polarización: unipolar Clase ...

Infineon

IRFSL3206PBF

a partir de € 0,98*
por unidad

MOSFET Vishay SiHB186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 8,4 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Serie = EF Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenado...

Vishay

SiHB186N60EF-GE3

a partir de € 1,39*
por unidad

MOSFET onsemi FDMS86181, VDSS 100 V, ID 124 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple (1 oferta)

This N-Channel MV MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimise on-state resistance and yet maint...

onsemi

FDMS86181

€ 2.814,00*
por 3.000 unidades

VISHAY SIHA12N50E-GE3 MOSFET, CANAL N, 500V, 10.5A, TO-220FP (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.33 ohm Gama de Producto E Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N...

Vishay

SIHA12N50E-GE3

a partir de € 0,878*
por unidad

MOSFET Vishay SIHB21N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 17,4 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Serie = E Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenado...

Vishay

SIHB21N80AE-GE3

a partir de € 1,18*
por unidad

MOSFET Texas Instruments CSD18536KTTT, VDSS 60 V, ID 200 A, D²PAK de 3 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 200 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = D²PAK Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de Ca...

Texas Instruments

CSD18536KTTT

a partir de € 3,281*
por unidad

VISHAY SIHA15N50E-GE3 MOSFET, CANAL N, 500V, 14.5A, 150°C, 33W (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.243 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...

Vishay

SIHA15N50E-GE3

a partir de € 0,837*
por unidad

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