MOSFET | MERCATEO (Página 1.171/1.692)

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VISHAY SIHG80N60E-GE3 MOSFET, CANAL N, 600V, 80A, 150°C, 520W (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.026 ohm Gama de Producto E Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corri...

Vishay

SIHG80N60E-GE3

a partir de € 7,68*
por unidad

MOSFET onsemi NVB150N65S3F, VDSS 650 V, ID 24 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 24 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 R...

onsemi

NVB150N65S3F

a partir de € 2,885*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2,7A; 45W; DPAK (1 oferta)

Fabricante: STMicroelectronics Montaje: SMD Carcasa: DPAK Tensión drenaje-fuente: 620V Corriente del drenaje: 2,7A Resistencia en estado de transferencia: 2,5Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder di...

ST Microelectronics

STD3N62K3

a partir de € 0,37*
por unidad

VISHAY SIA910EDJ-T1-GE3 MOSFET, DUAL N CH, 12V, 4.5A, POWERPAK (2 ofertas)

Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 12 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 4.5 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión ...

Vishay

SIA910EDJ-T1-GE3

a partir de € 0,206*
por unidad

MOSFET onsemi NTMTS4D3N15MC, VDSS 150 V, ID 175 A, DFNW8 de 8 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 175 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = DFNW8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistenc...

onsemi

NTMTS4D3N15MC

a partir de € 3,19*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3 (2 ofertas)

Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 65A Resistencia en estado de transferencia: 10mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 176...

onsemi

FDP80N06

a partir de € 0,92*
por unidad

VISHAY SIHH068N60E-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 600V, 34A, 150°C, 202W (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.059 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 5 Pines Montaje...

Vishay

SIHH068N60E-T1-GE3

a partir de € 4,58*
por unidad

VISHAY SIA921EDJ-T1-GE3 MOSFET, DUAL/P-CH/20V/4.5A/POWERPAK SC70 (2 ofertas)

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 4.5 A Gama de Producto Trench Series Nivel de Sensibilidad...

Vishay

SIA921EDJ-T1-GE3

a partir de € 0,22*
por unidad

MOSFET onsemi NTMT190N65S3HF, VDSS 650 V, ID 20 A, PQFN4 8 x 8 de 4 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = NTMT190N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxima Dr...

onsemi

NTMT190N65S3HF

a partir de € 4,448*
por unidad

MOSFET Vishay SiHH105N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 26 A, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 26 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 8 x 8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 N...

Vishay

SiHH105N60EF-T1GE3

a partir de € 2,99*
por unidad

MOSFET onsemi NVBG020N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 98 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 98 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7...

onsemi

NVBG020N120SC1

a partir de € 66,746*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10,1A; 83W; PG-VSON-4 (1 oferta)

Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-VSON-4 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 10,1A Resistencia en estado de transferencia: 0,42Ω Tipo de transistor: N-MOSFE...

Infineon

IPL65R420E6AUMA1

a partir de € 1,11*
por unidad

VISHAY SIA929DJ-T1-GE3 DUAL MOSFET,P-CH, 30V/4.5A/POWERPAK SC70 (2 ofertas)

Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 4.5 A Gama de Producto TrenchFET Gen III Series Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corr...

Vishay

SIA929DJ-T1-GE3

a partir de € 0,211*
por unidad

MOSFET onsemi NTMTSC002N10MCTXG, VDSS 100 V, ID 236 A, TDFNW8 de 8 pines (1 oferta)

on Semiconductor serie NTMTS es un MOSFET de canal N que tiene una tensión de drenaje a fuente de 100 V. Normalmente se utiliza rectificación síncrona y conversión dc-dc.Sin plomo En conformidad co...

onsemi

NTMTSC002N10MCTXG

€ 7.752,00*
por 3.000 unidades

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 67A; 41,5W; DFN5x6 (1 oferta)

Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: DFN5x6 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 67A Resistencia en estado de transferencia: 3,9mΩ Tipo de transistor: N-MOSFE...

Alpha & Omega Semiconductor

AON6260

a partir de € 0,92*
por unidad

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