Categorías
España
Español
Mi Mercateo
Iniciar sesión/Registrarse		Cesta
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.822.042 artículos)

Los filtros siguientes ayudan a reafinar la lista de artículos para la búsqueda "MOSFET" según sus necesidades:
Filtrar: Precio desdehasta€  Palabra 
Propiedades
☐
Vista general

"MOSFET"

Términos genéricos
Visualización
☐
☐
☐
☐
Imagen
Artículo ^v
Fabricante/N.º ^v
Precio ^v
Realizar un pedido
atrás
MOSFET onsemi NVB190N65S3F, VDSS 650 V, ID 20 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
SUPERFET III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de superempalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión mu...
onsemi
NVB190N65S3F
a partir de € 2,709*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; PLUS247™; 200ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: PLUS247™ Tiempo de disponibilidad: 200ns Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 100A Resistencia en estado de transferencia: 30mΩ Tipo de transis...
IXYS
IXFX100N65X2
a partir de € 11,72*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20,7A; 208W; PG-TO263-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-TO263-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 20,7A Resistencia en estado de transferencia: 0,19Ω Tipo de transistor: N-MOSF...
Infineon
SPB20N60C3
a partir de € 2,36*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIHD4N80E-GE3 MOSFET, CANAL N, 800V, 4.3A, 150°C, 69W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.1 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje d...
Vishay
SIHD4N80E-GE3
a partir de € 0,692*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 50W; TO263 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 95A Resistencia en estado de transferencia: 3,2mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET...
Alpha & Omega Semiconductor
AOB66616L
a partir de € 0,60*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIR424DP-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 30 A, PowerPAK SO-8 (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Vishay
SIR424DP-T1-GE3
a partir de € 1,715*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2,8A; 28,4W; PG-TO252-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-TO252-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 2,8A Resistencia en estado de transferencia: 1,4Ω Tipo de transistor: N-MOSFET...
Infineon
IPD65R1K4CFDBTMA1
a partir de € 0,41*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SiHD5N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 4,4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 850 V Serie = E Series Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima D...
Vishay
SiHD5N80AE-GE3
a partir de € 0,459*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVBLS1D7N08H, VDSS 80 V, ID 241,3 A., H-PSOF8L de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 241,3 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = H-PSOF8L Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resi...
onsemi
NVBLS1D7N08H
a partir de € 3,05*
por unidad
 
 unidades
VISHAY SIR440DP-T1-GE3 MOSFET, N CH, 20V, 60A, POWERPAK SO (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00125 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Monta...
Vishay
SIR440DP-T1-GE3
a partir de € 0,822*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 0,35µs Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 20A Resistencia en estado de transferencia: 0,21Ω Tipo de transis...
IXYS
IXTP20N65X
a partir de € 4,74*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIHD6N65E-GE3 MOSFET, CANAL N, 650V, 7A, TO-252 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.5 ohm Gama de Producto E Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal...
Vishay
SIHD6N65E-GE3
a partir de € 0,578*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTTFS022N15MC, VDSS 150 V, ID 37,2 A, WDFN de 8 pines (2 ofertas) 
El MOSFET de potencia industrial DE on Semiconductor en un encapsulado de cable plano de 3,3 x 3,3 mm diseñado para diseños compactos y eficientes y mejora la pérdida de conducción.Baja RDS(on) par...
onsemi
NTTFS022N15MC
a partir de € 1,09*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIR4604DP-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 49,3 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 49,3 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8
Vishay
SIR4604DP-T1-GE3
a partir de € 0,462*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTMYS025N06CLTWG, VDSS 60 V, ID 21 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 21 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = LFPAK, SOT-669 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Re...
onsemi
NTMYS025N06CLTWG
€ 2.130,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
siguiente
Artículo por página: 10   15   20   50   100    Página: atrás   1   ..   1181   1182   1183   1184   1185   1186   1187   1188   1189   1190   1191   ..   1692   siguiente

Búsqueda similar: FACT®Finder de Omikron
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.