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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.821.968 artículos)

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VISHAY SIJ438ADP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 169A, 40V, POWERPAK SO (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0011 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines...
Vishay
SIJ438ADP-T1-GE3
a partir de € 0,549*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTMTS001N06CLTXG, VDSS 60 V, ID 398.2 A, DFNW8 de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses Power 88 Package, Industry Standard These Devices are Pb−Free,...
onsemi
NTMTS001N06CLTXG
€ 6.582,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13,8A; 104W; PG-TO263-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-TO263-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 13,8A Resistencia en estado de transferencia: 0,28Ω Tipo de transistor: N-MOSF...
Infineon
IPB65R280E6ATMA1
a partir de € 1,33*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIHB11N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 8 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (3 ofertas) 
Vishay serie E MOSFET de potencia tiene un tipo de encapsulado D2PAK (TO-263) con configuración única.Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja Baja capacitancia efectiva (CISS) Menores pérdidas por con...
Vishay
SIHB11N80AE-GE3
a partir de € 0,911*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTPF082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-220 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 R...
onsemi
NTPF082N65S3F
a partir de € 232,95*
por 50 unidades
 
 envase
MOSFET Vishay SiJ462ADP-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 39,3 A, PowerPAK SO-8L de 4 pines (3 ofertas) 
El MOSFET Vishay de canal N de 60 V (D-S) tiene un QG muy bajo y QOSS reduce la pérdida de potencia y mejora la eficiencia. Sus cables flexibles proporcionan resistencia a la tensión mecánica.MOSFE...
Vishay
SiJ462ADP-T1-GE3
a partir de € 0,541*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIHB120N60E-GE3 MOSFET, CANAL N, 25A, 600V, TO-263 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.104 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...
Vishay
SIHB120N60E-GE3
a partir de € 2,26*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 80A Resistencia en estado de transferencia: 7,8mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 31...
onsemi
FDP038AN06A0
a partir de € 2,17*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SiJA22DP-T1-GE3, VDSS 25 V, ID 201 A, PowerPAK SO-8L de 4 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 201 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 25 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK SO-8L Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 R...
Vishay
SiJA22DP-T1-GE3
a partir de € 2,525*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET onsemi NTMTS0D6N04CLTXG, VDSS 40 V, ID 554.5 A, DFNW8 de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 554.5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = DFNW8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resisten...
onsemi
NTMTS0D6N04CLTXG
€ 6.513,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16,1A; 208W; PG-TO252-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-TO252-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 16,1A Resistencia en estado de transferencia: 0,25Ω Tipo de transistor: N-MOSF...
Infineon
IPD65R250E6XTMA1
a partir de € 1,33*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIHB15N80AE-GE3 MOSFET, CANAL N, 800V, 13A, TO-263 (1 oferta) 
Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 13 A Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.304 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Hum...
Vishay
SIHB15N80AE-GE3
a partir de € 1,09*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTPF165N65S3H, VDSS 650 V, ID 19 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 19 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = SUPERFET III Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistenc...
onsemi
NTPF165N65S3H
a partir de € 2,664*
por unidad
 
 unidades
VISHAY SIJA72ADP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 96A, 40V, POWERPAK SO (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00285 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pine...
Vishay
SIJA72ADP-T1-GE3
a partir de € 0,326*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIHB17N80E-GE3, VDSS 800 V, ID 15 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 15 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Serie = SiHB17N80E Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima ...
Vishay
SIHB17N80E-GE3
a partir de € 2,28*
por unidad
 
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