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  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.818.335 artículos)

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MOSFET Vishay SIS126DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 45.1 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45.1 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 1212-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8...
Vishay
SIS126DN-T1-GE3
a partir de € 0,337*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM QH8MA3TCR, VDSS 30 V, ID 7 A, TSMT8 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N, P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = TSMT8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de C...
ROHM Semiconductor
QH8MA3TCR
a partir de € 0,31*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6,4A; Idm: 25,6A; 125W (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 6,4A Resistencia en estado de transferencia: 1,2Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
ST Microelectronics
STP9NK65Z
a partir de € 0,68*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQ3987EV-T1_GE3 MOSFET, AEC-Q101, DUAL P-CH, -30V, -3A (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 3 A Gama de Producto TrenchFET Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 P...
Vishay
SQ3987EV-T1_GE3
a partir de € 1,555*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET ROHM BSM300C12P3E301, VDSS 1.200 V, ID 300 A, Lote (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 300 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = Lote Tipo de Montaje = Montaje roscado
ROHM Semiconductor
BSM300C12P3E301
a partir de € 792,278*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO263; 50ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 50ns Tensión drenaje-fuente: 75V Corriente del drenaje: 120A Resistencia en estado de transferencia: 7,7mΩ Tipo de transistor:...
IXYS
IXTA120N075T2
a partir de € 2,09*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SiS178LDN-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 45,3 A., POWERPAK 1212-8 de 8 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45,3 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 70 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima...
Vishay
SiS178LDN-T1-GE3
a partir de € 0,282*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 52A; 660W; TO247-3; 435ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 435ns Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 52A Resistencia en estado de transferencia: 68mΩ Tipo de transisto...
IXYS
IXTH52N65X
a partir de € 6,82*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQ4184EY-T1_GE3 MOSFET, CANAL N, 40V, 29A, SOIC (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0036 ohm Gama de Producto TrenchFET Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal C...
Vishay
SQ4184EY-T1_GE3
a partir de € 0,584*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIS184LDN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 69,4 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, 2elementos (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 69,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 1212-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8...
Vishay
SIS184LDN-T1-GE3
a partir de € 0,75*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM QH8MC5TCR, VDSS 60 V, ID 3 A, 3,5 A, TSMT-8 de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N, P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3 A, 3,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = QH8MC5 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máx...
ROHM Semiconductor
QH8MC5TCR
a partir de € 0,27*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 450ns Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 64A Resistencia en estado de transferencia: 51mΩ Tipo de transisto...
IXYS
IXTH64N65X
a partir de € 8,91*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM BSM400C12P3G202, VDSS 1.200 V, ID 358 A, Bandeja (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 358 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = Bandeja Tipo de Montaje = Montaje roscado
ROHM Semiconductor
BSM400C12P3G202
a partir de € 716,295*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIS407ADN-T1-GE3 (2 ofertas) 
MOSFET
Vishay
SIS407ADN-T1-GE3
a partir de € 1,425*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET ROHM BSS84XHZGG2CR, VDSS 60 V, ID 200 mA, DFN1010 de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 200 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = DFN1010 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resiste...
ROHM Semiconductor
BSS84XHZGG2CR
a partir de € 0,735*
por 5 unidades
 
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