MOSFET | MERCATEO (Página 1.210/1.692)

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MOSFET ROHM R6007END3TL1, VDSS 600 V, ID 7 A, TO-252 de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = TO-252 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de Ca...

ROHM Semiconductor

R6007END3TL1

€ 0,714*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7,3A; 63W; PG-TO262-3 (1 oferta)

Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO262-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 7,3A Resistencia en estado de transferencia: 0,6Ω Tipo de transistor: N-MOSFET...

Infineon

IPI65R600C6XKSA1

a partir de € 0,77*
por unidad

MOSFET Vishay SQ4917CEY-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 8 A, SO-8 de 8 pines, 4elementos (2 ofertas)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de Canal...

Vishay

SQ4917CEY-T1_GE3

a partir de € 0,467*
por unidad

MOSFET ROHM BSM600D12P3G001, VDSS 1.200 V, ID 358 A, Módulo (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 358 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo de Montaje = Montaje roscado

ROHM Semiconductor

BSM600D12P3G001

a partir de € 1.356,756*
por unidad

MOSFET Vishay SiS590DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 4 A, PowerPAK 1212-8 doble de 8 pines, 2elementos (2 ofertas)

Tipo de Canal = N, P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima...

Vishay

SiS590DN-T1-GE3

a partir de € 0,351*
por unidad

MOSFET ROHM QH8JC5TCR, VDSS 60 V, ID 3,5 A, TSMT-8 de 8 pines, 2elementos (2 ofertas)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = TSMT-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistenc...

ROHM Semiconductor

QH8JC5TCR

a partir de € 0,40*
por unidad

VISHAY SQ9407EY-T1_GE3 MOSFET, CANAL P, 60V, 4.6A, 175°C, 3.75W (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.067 ohm Gama de Producto TrenchFET Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Ca...

Vishay

SQ9407EY-T1_GE3

a partir de € 2,285*
por 5 unidades

MOSFET ROHM R6530KNX3C16, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220AB de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-220AB Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3...

ROHM Semiconductor

R6530KNX3C16

a partir de € 2,268*
por unidad

VISHAY SIS606BDN-T1-GE3 MOSFET CANAL N, 100V, 35.3A, POWERPAK SO (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0145 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines...

Vishay

SIS606BDN-T1-GE3

a partir de € 0,546*
por unidad

MOSFET ROHM R6013VNXC7G, VDSS 600 V, ID 8 A, TO-220FM de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = TO-220FM Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 ...

ROHM Semiconductor

R6013VNXC7G

a partir de € 1,09*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7,7A; 40W; TO263 (1 oferta)

Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 7,7A Resistencia en estado de transferencia: 720mΩ Tipo de transistor: N-MOSF...

Alpha & Omega Semiconductor

AOB12N65L

a partir de € 0,89*
por unidad

MOSFET ROHM BSS138BKWT106, VDSS 60 V, ID 380 mA, UMT de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 380 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = UMT Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia...

ROHM Semiconductor

BSS138BKWT106

a partir de € 0,087*
por unidad

VISHAY SIS888DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N 150V 20.2A POWERPAK 1212 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.048 ohm Gama de Producto ThunderFET Series Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de ...

Vishay

SIS888DN-T1-GE3

a partir de € 0,563*
por unidad

Infineon IPW65R041CFD transistore 600 V (1 oferta)

Infineon

IPW65R041CFDFKSA1

a partir de € 12,64*
por unidad

MOSFET Vishay SQD10950E_GE3, VDSS 250 V, ID 11,5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (2 ofertas)

Vishay SQD10950E_GE3 es un MOSFET de 175 °C de canal N de automoción 250V (D-S).MOSFET de potencia TrenchFET® Encapsulado con baja resistencia térmica 100 % Rg y prueba UIS Certificación AEC-Q101

Vishay

SQD10950E_GE3

a partir de € 0,48*
por unidad

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