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  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.818.335 artículos)

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MOSFET Vishay SiR870BDP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 81 A, POWERPAK SO-8 de 8 pines (3 ofertas) 
El MOSFET Vishay de canal N de 100 V (D-S) tiene una figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja y está sintonizado para el FOM RDS x QOSS más bajo.MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV 100 % RG y prueb...
Vishay
SiR870BDP-T1-RE3
a partir de € 0,92*
por unidad
 
 unidades
MOSFET ROHM BSM400C12P3G202, VDSS 1.200 V, ID 358 A, Bandeja (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 358 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = Bandeja Tipo de Montaje = Montaje roscado
ROHM Semiconductor
BSM400C12P3G202
€ 3.328,76*
por 4 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4,6A; 83W; PG-TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 4,6A Resistencia en estado de transferencia: 0,6Ω Tipo de transistor: N-MOSFET...
Infineon
SPP07N60C3
a partir de € 0,97*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQ1464EEH-T1_GE3 MOSFET AEC-Q CANAL N 60 V (D-S) 175C (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 1.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.8 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines ...
Vishay
SQ1464EEH-T1_GE3
a partir de € 0,885*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET ROHM R6055VNXC7G, VDSS 600 V, ID 23 A, TO-220FM de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 23 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = TO-220FM Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3...
ROHM Semiconductor
R6055VNXC7G
a partir de € 4,178*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; 180W; TO247-3; 270ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 270ns Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 12A Resistencia en estado de transferencia: 0,3Ω Tipo de transisto...
IXYS
IXTH12N70X2
a partir de € 3,66*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIRA18ADP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 30V, 30.6A, POWERPAK SO (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.007 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de C...
Vishay
SIRA18ADP-T1-GE3
a partir de € 0,123*
por unidad
 
 unidades
MOSFET ROHM HP8K24TB, VDSS 30 V, ID 80 A, HSOP8 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 80 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = HP Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-...
ROHM Semiconductor
HP8K24TB
a partir de € 0,541*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4,5A; 37W; IPAK SL (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: IPAK SL Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 4,5A Resistencia en estado de transferencia: 0,95Ω Tipo de transistor: N-MOSFET P...
Infineon
IPS65R950C6AKMA1
a partir de € 0,49*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQ1539EH-T1_GE3 MOSFET, COMPLEMENTARIO, 30V, 0.85A, 1.5W (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 850 mA Gama de Producto TrenchFET Series Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente d...
Vishay
SQ1539EH-T1_GE3
a partir de € 0,175*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Renesas Electronics RJK0656DPB-00#J5, VDSS 60 V, ID 40 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = LFPAK, SOT-669 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Re...
Renesas Electronics
RJK0656DPB-00J5
€ 3.837,50*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Vishay SIRA20BDP-T1-GE3, VDSS 25 V, ID 335 A., POWERPAK SO-8 de 8 pines, 2elementos (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 335 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 25 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima ...
Vishay
SIRA20BDP-T1-GE3
a partir de € 0,56*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM BSM400D12P3G002, VDSS 1.200 V, ID 358 A, Módulo (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 358 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo de Montaje = Montaje roscado
ROHM Semiconductor
BSM400D12P3G002
€ 4.757,04*
por 4 unidades
 
 envase
VISHAY SQ1912AEEH-T1_GE3 MOSFET, CANAL N, 20V, 0.8A, 175°C, 1.5W (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 800 mA Gama de Producto TrenchFET Series Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 20 V Corriente d...
Vishay
SQ1912AEEH-T1_GE3
a partir de € 0,234*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2,4A; 48W; TO251A (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO251A Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 2,4A Resistencia en estado de transferencia: 1,4Ω Tipo de transistor: N-MOSF...
Alpha & Omega Semiconductor
AOI1R4A70
a partir de € 0,51*
por unidad
 
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