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  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.818.335 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO262-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 38A Resistencia en estado de transferencia: 99mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET ...
Infineon
IPI65R099C6XKSA1
a partir de € 4,08*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SiZ340BDT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 69,3 A., PowerPAIR 3 x 3S de 8 pines, 2elementos (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 69,3 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima...
Vishay
SiZ340BDT-T1-GE3
a partir de € 1,175*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET ROHM R6020KNZC8, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-3PF de 3 pines, config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = TO-3PF Serie = R6020KNZ Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Cont...
ROHM Semiconductor
R6020KNZC8
€ 3,644*
por 2 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 198W; TO263 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 8A Resistencia en estado de transferencia: 1,11Ω Tipo de transistor: N-MOSFET...
Alpha & Omega Semiconductor
AOB11S65L
a partir de € 1,29*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM BSS138BWAHZGT106, VDSS 60 V, ID 380 mA, UMT de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 380 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = UMT Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia...
ROHM Semiconductor
BSS138BWAHZGT106
a partir de € 0,104*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB; 164ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 164ns Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 34A Resistencia en estado de transferencia: 0,1Ω Tipo de transisto...
IXYS
IXFP34N65X2
a partir de € 3,70*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIZ342DT-T1-GE3 MOSFET DOBLE CANAL N, 30V/30A, POWERPAIR (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 30 A Gama de Producto TrenchFET Gen IV Series Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corrie...
Vishay
SIZ342DT-T1-GE3
a partir de € 0,338*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NXV65HR82DZ2, VDSS 650 V, ID 26 A, AMCA-A16 de 16 pines, 4elementos (1 oferta) 
El puente H del cargador de placa on Semiconductor en la serie APM16 para LLC y el convertidor dc-dc de desplazamiento de fase. Permite diseñar un sistema pequeño, eficiente y fiable para reducir e...
onsemi
NXV65HR82DZ2
a partir de € 24,265*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIR698DP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 7,5 A, PowerPAK SO-8 (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Vishay
SIR698DP-T1-GE3
a partir de € 0,469*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM BSM250D17P2E004, VDSS 1700 V, ID 250 A, Lote (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 250 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1700 V Tipo de Encapsulado = Lote Tipo de Montaje = Montaje roscado
ROHM Semiconductor
BSM250D17P2E004
€ 3.759,816*
por 4 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 35W; TO220FP (1 oferta) 
Attention! This product is sold up to the quantity available in stock. In case of larger orders, the amount will be replaced by the available quantity. Fabricante: TOSHIBA Montaje: THT Carcasa: TO2...
Toshiba
TK3A65D
a partir de € 1,08*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIZ926DT-T1-GE3 MOSFET CANAL N DOBLE, 60A, 25V (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 25 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 60 A Gama de Producto TrenchFET Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 ...
Vishay
SIZ926DT-T1-GE3
a partir de € 0,482*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIR826BDP-T1-RE3 MOSFET, CANAL N, 80V, 80.8A, 150°C, 83W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00435 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pine...
Vishay
SIR826BDP-T1-RE3
a partir de € 0,63*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM BSS670T116, VDSS 60 V, ID 650 A, SOT-23 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 650 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de C...
ROHM Semiconductor
BSS670T116
a partir de € 0,05*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 164ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 164ns Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 34A Resistencia en estado de transferencia: 0,1Ω Tipo de transistor:...
IXYS
IXFA34N65X2
a partir de € 3,27*
por unidad
 
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