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  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.817.169 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 6A Resistencia en estado de transferencia: 940mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 45W...
WAYON
WMK09N60C2
a partir de € 0,45*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPB067N08N3 G transistore 30 V (1 oferta)
Infineon
IPB067N08N3GATMA1
a partir de € 0,99*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM SCT4062KW7TL, VDSS 1200 V, ID 24 A, TO-263-7L de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 24 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V Tipo de Encapsulado = TO-263-7L Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Modo ...
ROHM Semiconductor
SCT4062KW7TL
a partir de € 7,13*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 23W; TO220FP (1 oferta) 
Attention! This product is sold up to the quantity available in stock. In case of larger orders, the amount will be replaced by the available quantity. Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO220...
WAYON
WML07N60C2
a partir de € 0,34*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 14A; 38W; TO220FP; 116ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tiempo de disponibilidad: 116ns Tensión drenaje-fuente: 850V Corriente del drenaje: 14A Resistencia en estado de transferencia: 0,55Ω Tipo de transist...
IXYS
IXFP14N85XM
a partir de € 3,40*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCT040HU65G3AG, VDSS 800 V, ID 10 A, Cinta y carrete (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Tipo de Encapsulado = Cinta y carrete Tipo de Montaje = Montaje superficial Modo de Canal = Mejora
ST Microelectronics
SCT040HU65G3AG
a partir de € 10,624*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO262 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO262 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 6A Resistencia en estado de transferencia: 940mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 45W P...
WAYON
WMN09N60C2
a partir de € 0,31*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 136W; TO220 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220 Tensión drenaje-fuente: 80V Corriente del drenaje: 82A Resistencia en estado de transferencia: 3,5mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT282L
a partir de € 1,51*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM SH8JC5TB1, VDSS 60 V, ID 7,5 A, SOP de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
El MOSFET de alimentación ROHM tiene un tipo de encapsulado DFN2020-8D. Se utiliza principalmente para conmutación.Baja resistencia de encendido Encapsulado pequeño para montaje superficial Chapado...
ROHM Semiconductor
SH8JC5TB1
a partir de € 1,339*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO262 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO262 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 5A Resistencia en estado de transferencia: 1,14Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 42W P...
WAYON
WMN07N60C2
a partir de € 0,27*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM SH8KE6TB1, VDSS 100 V, ID 4,5 A, SOP8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = SOP8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
ROHM Semiconductor
SH8KE6TB1
€ 1.455,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 30A; 695W; TO247-3; 160ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 160ns Tensión drenaje-fuente: 850V Corriente del drenaje: 30A Resistencia en estado de transferencia: 0,23Ω Tipo de transist...
IXYS
IXFH30N85X
a partir de € 7,61*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: SMD Carcasa: SOT223 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 8A Resistencia en estado de transferencia: 720mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 57W ...
WAYON
WMF10N60C2
a partir de € 0,36*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM SH8K26GZ0TB1, VDSS 40 V, ID 6 A, SOP de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 6 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = SOP Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8
ROHM Semiconductor
SH8K26GZ0TB1
a partir de € 0,382*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO263 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 6A Resistencia en estado de transferencia: 940mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 45W P...
WAYON
WMM09N60C2
a partir de € 0,29*
por unidad
 
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