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  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.817.073 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO262 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 13A Resistencia en estado de transferencia: 0,32Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 86W ...
WAYON
WMN16N65C2
a partir de € 0,64*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Semelab VN10K, VDSS 60 V, ID 170 mA, TO-18 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Transistores MOSFET de canal N, Semelab
Semelab
VN10K
a partir de € 308,43*
por 30 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 66A; 1250W; PLUS247™; 250ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: PLUS247™ Tiempo de disponibilidad: 250ns Tensión drenaje-fuente: 850V Corriente del drenaje: 66A Resistencia en estado de transferencia: 65mΩ Tipo de transist...
IXYS
IXFX66N85X
a partir de € 17,88*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM SH8KC6TB1, VDSS 60 V, ID 6,5 A, SOP de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 6,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOP Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia ...
ROHM Semiconductor
SH8KC6TB1
a partir de € 0,38*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 13A Resistencia en estado de transferencia: 0,32Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 86...
WAYON
WMK16N65C2
a partir de € 0,89*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM SP8K2HZGTB, VDSS 30 V, ID 6 A, SOP de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 6 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = SOP Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8
ROHM Semiconductor
SP8K2HZGTB
a partir de € 0,575*
por unidad
 
 unidades
MOSFET STMicroelectronics SCTL90N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = SCTL90N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima Dre...
ST Microelectronics
SCTL90N65G2V
a partir de € 24,463*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 20A Resistencia en estado de transferencia: 0,19Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 14...
WAYON
WMJ26N65C2
a partir de € 1,97*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics RF2L16180CB4, VDSS 65 V, B4E de 4 pines (1 oferta) 
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 65 V Tipo de Encapsulado = B4E Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxima...
ST Microelectronics
RF2L16180CB4
a partir de € 142,917*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM SH8KE6TB1, VDSS 100 V, ID 4,5 A, SOP8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = SOP8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
ROHM Semiconductor
SH8KE6TB1
a partir de € 0,659*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 15A; 86W; TO251 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO251 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 15A Resistencia en estado de transferencia: 0,3Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 86W P...
WAYON
WMP20N65C2
a partir de € 0,77*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM SP8K41HZGTB, VDSS 80 V, ID 3,4 A, SOP de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
MOSFET Rohm de grado de automoción SP8K41HZG n con certificación EC-Q101. Se incluyen dos MOSFET NCH 80V en el encapsulado SOP8. Diodo de protección ESD integrado. Ideal para aplicaciones de conmut...
ROHM Semiconductor
SP8K41HZGTB
a partir de € 0,721*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Vishay IRFBF20PBF, VDSS 900 V, ID 1,7 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFBF20PBF
a partir de € 0,66*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO251 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 3A Resistencia en estado de transferencia: 1,9Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 29W Po...
WAYON
WMP04N65C2
a partir de € 0,196*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics RF3L05150CB4, VDSS 90 V, ID 2,5 A, LBB de 5 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 2,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 90 V Serie = RF3L05150CB4 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxim...
ST Microelectronics
RF3L05150CB4
a partir de € 152,104*
por unidad
 
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