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  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.817.073 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 38A Resistencia en estado de transferencia: 99mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 277...
WAYON
WMJ38N65C2
a partir de € 2,85*
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 unidad
MOSFET ROHM SP8M21HZGTB, VDSS 45 V, ID 4 A, 6 A., SOP de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
MOSFET Rohm de grado de automoción SP8M21HZG n con certificación EC-Q101. Los MOSFET de par NCH y PCH 45V se incluyen en el encapsulado SOP8. Diodo de protección ESD integrado. Ideal para aplicacio...
ROHM Semiconductor
SP8M21HZGTB
a partir de € 0,996*
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 unidades
MOSFET STMicroelectronics SCTW70N120G2V, VDSS 1.200 V, ID 91 A, HiP247 de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 91 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCTW70N Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia ...
ST Microelectronics
SCTW70N120G2V
a partir de € 34,395*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO252 (1 oferta) 
Attention! This product is sold up to the quantity available in stock. In case of larger orders, the amount will be replaced by the available quantity. Fabricante: WAYON Montaje: SMD Carcasa: TO252...
WAYON
WMO07N65C2
a partir de € 0,28*
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 unidad
MOSFET STMicroelectronics RF5L08350CB4, VDSS 110 V, B4E de 5 pines (1 oferta) 
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 110 V Tipo de Encapsulado = B4E Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxim...
ST Microelectronics
RF5L08350CB4
a partir de € 142,917*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO252 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: SMD Carcasa: TO252 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 3A Resistencia en estado de transferencia: 1,9Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 29W Po...
WAYON
WMO04N65C2
a partir de € 0,185*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM SP8M4HZGTB, VDSS 30 V, ID 7 A, 9 A., SOP de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N, P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7 A, 9 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = SP8M4 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxim...
ROHM Semiconductor
SP8M4HZGTB
a partir de € 0,978*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1,9A; Idm: 12A; 51W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 900V Corriente del drenaje: 1,9A Resistencia en estado de transferencia: 2,3Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 5...
onsemi
FQPF5N90
a partir de € 1,48*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 6A Resistencia en estado de transferencia: 940mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 45W...
WAYON
WMK09N65C2
a partir de € 0,40*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCT040HU65G3AG, VDSS 800 V, ID 10 A, Cinta y carrete (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Tipo de Encapsulado = Cinta y carrete Tipo de Montaje = Montaje superficial Modo de Canal = Mejora
ST Microelectronics
SCT040HU65G3AG
a partir de € 11,91*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; 230W; ISOPLUS247™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: ISOPLUS247™ Tensión drenaje-fuente: 900V Corriente del drenaje: 13A Resistencia en estado de transferencia: 0,46Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado:...
IXYS
IXFR24N90P
a partir de € 11,43*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 5A Resistencia en estado de transferencia: 1,14Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 42W...
WAYON
WMK07N65C2
a partir de € 0,37*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM SP8M6HZGTB, VDSS 30 V, ID 3,5 A, 5 A, SOP de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N, P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3,5 A, 5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = SP8M5 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxi...
ROHM Semiconductor
SP8M6HZGTB
a partir de € 0,83*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P (1 oferta) 
Fabricante: NTE Electronics Montaje: THT Carcasa: TO3P Tensión drenaje-fuente: 900V Corriente del drenaje: 14A Resistencia en estado de transferencia: 0,63Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disip...
NTE Electronics
NTE2973
a partir de € 11,13*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO262 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO262 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 6A Resistencia en estado de transferencia: 940mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 45W P...
WAYON
WMN09N65C2
a partir de € 0,31*
por unidad
 
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