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  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.817.073 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 11A; 85W; TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 11A Resistencia en estado de transferencia: 530mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 85...
WAYON
WMK14N70C2
a partir de € 0,84*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 116 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 116A y resistencia de drenaje a fuente de 18m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por ár...
ST Microelectronics
SCTH90N65G2V-7
a partir de € 22,513*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3,8A; Idm: 25A; 171W; D2PAK (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: D2PAK Tensión drenaje-fuente: 900V Corriente del drenaje: 3,8A Resistencia en estado de transferencia: 1,9Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 171...
onsemi
FQB8N90CTM
a partir de € 1,44*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO252 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: SMD Carcasa: TO252 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 9A Resistencia en estado de transferencia: 0,54Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 63W P...
WAYON
WMO11N65C2
a partir de € 0,39*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Semelab D1029UK, VDSS 70 V, ID 35 A, DR de 5 pines, 2elementos, config. Fuente común (1 oferta) 
Transistores MOSFET RF, Semelab
Semelab
D1029UK
€ 4.737,96*
por 20 unidades
 
 envase
MOSFET STMicroelectronics STB43N65M5, ID 7 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
This device is an N-channel Power MOSFET based on the MDmesh™ M5 innovative vertical process technology combined with the well-known PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product offers extre...
ST Microelectronics
STB43N65M5
a partir de € 5,52*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 11A; 85W; TO263 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 11A Resistencia en estado de transferencia: 530mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 85W ...
WAYON
WMM14N70C2
a partir de € 0,63*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTL90N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines (1 oferta) 
STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone ...
ST Microelectronics
SCTL90N65G2V
a partir de € 28,394*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 40W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: TOSHIBA Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 900V Corriente del drenaje: 3A Resistencia en estado de transferencia: 3,7Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 40...
Toshiba
2SK3564(STA4,Q,M)
a partir de € 0,76*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM UT6MA2TCR, VDSS 30 V, ID 4 A, HUML2020L8 (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N, P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = HUML2020L8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
ROHM Semiconductor
UT6MA2TCR
a partir de € 0,135*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO262 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO262 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 9A Resistencia en estado de transferencia: 0,54Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 63W P...
WAYON
WMN11N65C2
a partir de € 0,43*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Semelab D2081UK.F, VDSS 65 V, ID 200 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Transistores MOSFET RF, Semelab
Semelab
D2081UK.F
€ 351,10*
por 50 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; PLUS247™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: PLUS247™ Tensión drenaje-fuente: 900V Corriente del drenaje: 32A Resistencia en estado de transferencia: 0,3Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 960...
IXYS
IXFX32N90P
a partir de € 14,98*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics STB80NF55-06T4, VDSS 55 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 80 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 55 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Re...
ST Microelectronics
STB80NF55-06T4
€ 1.631,00*
por 1.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 12A; 86W; TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 12A Resistencia en estado de transferencia: 0,42Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 86...
WAYON
WMK16N70C2
a partir de € 0,82*
por unidad
 
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