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  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.817.073 artículos)

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MOSFET STMicroelectronics SCT1000N170, VDSS 1700 V, ID 7 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
SiC MOSFETSTMicroelectronics: El MOSFET de potencia de carburo de silicio se fabrica aprovechando las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. Esto da como resultado una res...
ST Microelectronics
SCT1000N170
a partir de € 11,168*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO262 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO262 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 5A Resistencia en estado de transferencia: 1,14Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 42W P...
WAYON
WMN07N65C2
a partir de € 0,278*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM UT6JC5TCR, VDSS 60 V, ID 2,5 A, DFN2020 de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 2,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = DFN2020 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resisten...
ROHM Semiconductor
UT6JC5TCR
a partir de € 0,211*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2,5A; 40W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: TOSHIBA Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 900V Corriente del drenaje: 2,5A Resistencia en estado de transferencia: 5,6Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...
Toshiba
2SK3566(STA4,Q,M)
a partir de € 0,72*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; SOT223 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: SMD Carcasa: SOT223 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 8A Resistencia en estado de transferencia: 720mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 57W ...
WAYON
WMF10N65C2
a partir de € 0,37*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG, VDSS 650 V, ID 45 A, H2PAK-7 de 7 pines, 2elementos (1 oferta) 
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2nd generación. El dispositivo dispo...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7AG
a partir de € 11,92*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO263 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 6A Resistencia en estado de transferencia: 940mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 45W P...
WAYON
WMM09N65C2
a partir de € 0,31*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Semelab D1001UK, VDSS 70 V, ID 5 A, DA de 4 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Transistores MOSFET RF, Semelab
Semelab
D1001UK
€ 1.223,975*
por 25 unidades
 
 envase
MOSFET STMicroelectronics SH32N65DM6AG, VDSS 650 V, ID 32 A, ACEPACK SMIT de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 32 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = ACEPACK SMIT Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3
ST Microelectronics
SH32N65DM6AG
a partir de € 12,26*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 9A Resistencia en estado de transferencia: 0,54Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 63W...
WAYON
WMK11N65C2
a partir de € 0,64*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH60N120G2-7, VDSS 1.200 V, ID 60 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resist...
ST Microelectronics
SCTH60N120G2-7
a partir de € 39,739*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 24A; 660W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 900V Corriente del drenaje: 24A Resistencia en estado de transferencia: 0,42Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 660...
IXYS
IXFH24N90P
a partir de € 10,38*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; TO262 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO262 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 8A Resistencia en estado de transferencia: 0,69Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 57W P...
WAYON
WMN10N65C2
a partir de € 0,39*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Semelab D1011UK, VDSS 70 V, ID 5 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Transistores MOSFET RF, Semelab
Semelab
D1011UK
€ 1.498,10*
por 50 unidades
 
 envase
Infineon IPD90R1K2C3 transistore 650 V (1 oferta)
Infineon
IPD90R1K2C3ATMA1
a partir de € 1,11*
por unidad
 
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