MOSFET | MERCATEO (Página 1.278/1.692)

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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 4,6W; SOT223 (1 oferta)

Fabricante: WAYON Montaje: SMD Carcasa: SOT223 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 3A Resistencia en estado de transferencia: 2Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 4,6W Po...

WAYON

WMF04N60C2

a partir de € 0,23*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STHU47N60DM6AG, VDSS 600 V, ID 36 A, HU3PAK de 7 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 36 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = HU3PAK Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Tensión d...

ST Microelectronics

STHU47N60DM6AG

a partir de € 6,366*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 53A; 34W; TO220FP (1 oferta)

Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 53A Resistencia en estado de transferencia: 78mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 34W...

WAYON

WML53N65FD

a partir de € 3,15*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STGP8NC60KD, TO-220 de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas)

This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.Lower on voltage drop (VCE(sat)) Very soft ultra fast ...

ST Microelectronics

STGP8NC60KD

a partir de € 0,63*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 15A; 86W; TO262 (1 oferta)

Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO262 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 15A Resistencia en estado de transferencia: 0,3Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 86W P...

WAYON

WMN20N60C2

a partir de € 0,82*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247-4 de 4 pines (1 oferta)

SiC MOSFETMOSFET STMicroelectronics de 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC con un IGBT Trench Field Stop (TFS) con la misma tensión nominal y resistencia de estado de conexión equivalente. El M...

ST Microelectronics

SCTWA40N120G2V-4

a partir de € 29,225*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO262 (1 oferta)

Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO262 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 38A Resistencia en estado de transferencia: 0,115Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 277...

WAYON

WMN38N65FD

a partir de € 2,07*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SH68N65DM6AG, VDSS 650 V, ID 64 A, ACEPACK SMIT de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 64 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = ACEPACK SMIT Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3

ST Microelectronics

SH68N65DM6AG

a partir de € 5.292,60*
por 200 unidades

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO251 (1 oferta)

Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO251 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 5A Resistencia en estado de transferencia: 1,14Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 42W P...

WAYON

WMP07N60C2

a partir de € 0,25*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STK130N4LF7AG, VDSS 40 V, ID 100 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = LFPAK, SOT-669 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4

ST Microelectronics

STK130N4LF7AG

a partir de € 0,907*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10,5A; 85W; TO262 (1 oferta)

Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO262 Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 10,5A Resistencia en estado de transferencia: 0,8Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 85W...

WAYON

WMN11N80M3

a partir de € 0,47*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STH12N120K5-2AG, VDSS 1.200 V, ID 7 A, Cinta y carrete (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = Cinta y carrete Tipo de Montaje = Montaje superficial Modo de Canal = Mejora

ST Microelectronics

STH12N120K5-2AG

a partir de € 8,544*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 15A; 86W; TO263 (1 oferta)

Fabricante: WAYON Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 15A Resistencia en estado de transferencia: 0,3Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 86W P...

WAYON

WMM20N60C2

a partir de € 0,82*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4, VDSS 1.200 V, ID 91 A, HiP247-4 de 4 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 91 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = HiP247-4 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines =...

ST Microelectronics

SCTWA70N120G2V-4

a partir de € 71,68*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO263 (1 oferta)

Fabricante: WAYON Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 38A Resistencia en estado de transferencia: 0,115Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 277...

WAYON

WMM38N65FD

a partir de € 2,21*
por unidad

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