MOSFET | MERCATEO (Página 1.273/1.692)

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MOSFET STMicroelectronics LET9045F, VDSS 80 V, ID 9 A, M250 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics. Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones q...

ST Microelectronics

LET9045F

€ 3.392,00*
por 25 unidades

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2,6A; 29W; TO251S3 (1 oferta)

Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO251S3 Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 2,6A Resistencia en estado de transferencia: 2,45Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 2...

WAYON

WMG04N70C2

a partir de € 0,24*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT040H65G3AG, VDSS 650 V, ID 30 A, H2PAK-7 de 7 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7

ST Microelectronics

SCT040H65G3AG

a partir de € 9,47*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 42W; TO262 (1 oferta)

Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO262 Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 4A Resistencia en estado de transferencia: 1,45Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 42W P...

WAYON

WMN07N70C2

a partir de € 0,29*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4, VDSS 1.200 V, ID 60 A, HiP247-4 de 4 pines (1 oferta)

Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCTW Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxima Drenador-Fuent...

ST Microelectronics

SCTWA60N120G2-4

a partir de € 24,038*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP (1 oferta)

Fabricante: TOSHIBA Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 900V Corriente del drenaje: 8A Resistencia en estado de transferencia: 1Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 50W ...

Toshiba

2SK3799(Q,M)

a partir de € 1,49*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics RF2L36075CF2, VDSS 60 V, B2 de 2 pines (1 oferta)

Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = B2 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 2 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxima ...

ST Microelectronics

RF2L36075CF2

a partir de € 124,701*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2,6A; 4,6W; SOT223 (1 oferta)

Fabricante: WAYON Montaje: SMD Carcasa: SOT223 Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 2,6A Resistencia en estado de transferencia: 2,55Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 4,...

WAYON

WMF04N70C2

a partir de € 0,23*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT055HU65G3AG, VDSS 650 V, ID 30 A, HU3PAK (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = HU3PAK Tipo de Montaje = Montaje superficial Modo de Canal = Mejora

ST Microelectronics

SCT055HU65G3AG

a partir de € 9,27*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 45W; TO220FP (1 oferta)

Fabricante: TOSHIBA Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 900V Corriente del drenaje: 5A Resistencia en estado de transferencia: 2Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 45W ...

Toshiba

2SK3565(STA4,Q,M)

a partir de € 1,04*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 5,3A; 45W; TO263 (1 oferta)

Fabricante: WAYON Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 5,3A Resistencia en estado de transferencia: 1,2Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 45W ...

WAYON

WMM09N70C2

a partir de € 0,32*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4, VDSS 650 V, ID 119 A, HiP247-4 de 4 pines (1 oferta)

The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistan...

ST Microelectronics

SCTWA90N65G2V-4

a partir de € 28,542*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics RF3L05250CB4, VDSS 90 V, LBB de 5 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Tensión Máxima Drenador-Fuente = 90 V Serie = RF3L Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta m...

ST Microelectronics

RF3L05250CB4

a partir de € 160,88*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 5,3A; 45W; TO220-3 (1 oferta)

Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 700V Corriente del drenaje: 5,3A Resistencia en estado de transferencia: 1,2Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 45...

WAYON

WMK09N70C2

a partir de € 0,42*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics SCT20N120H, VDSS 1.200 V, ID 20 A, H2PAK-2 de 3 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SiC MOSFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxim...

ST Microelectronics

SCT20N120H

a partir de € 9,65*
por unidad

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