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  MOSFET  (25.383 ofertas entre 5.869.044 artículos)

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MOSFET STMicroelectronics RF5L08350CB4, VDSS 110 V, B4E de 5 pines (1 oferta) 
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 110 V Tipo de Encapsulado = B4E Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxim...
ST Microelectronics
RF5L08350CB4
a partir de € 142,917*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 13A; 31W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 13A Resistencia en estado de transferencia: 0,32Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 31...
WAYON
WML16N65FD
a partir de € 0,81*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247-4 de 4 pines (1 oferta) 
SiC MOSFETMOSFET STMicroelectronics de 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC con un IGBT Trench Field Stop (TFS) con la misma tensión nominal y resistencia de estado de conexión equivalente. El M...
ST Microelectronics
SCTWA40N120G2V-4
a partir de € 29,225*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 6W; SOT223 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: SMD Carcasa: SOT223 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 6A Resistencia en estado de transferencia: 980mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 6W P...
WAYON
WMF09N60C2
a partir de € 0,259*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM SP8M4HZGTB, VDSS 30 V, ID 7 A, 9 A., SOP de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N, P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7 A, 9 A. Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = SP8M4 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxim...
ROHM Semiconductor
SP8M4HZGTB
a partir de € 0,978*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO262 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 13A Resistencia en estado de transferencia: 0,32Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 86W ...
WAYON
WMN16N65C2
a partir de € 0,63*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics STO67N60DM6, VDSS 600 V, ID 33 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta) 
STMicroelectronics de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina u...
ST Microelectronics
STO67N60DM6
a partir de € 5,139*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 12A; 31W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 12A Resistencia en estado de transferencia: 620mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 31...
WAYON
WML12N80M3
a partir de € 0,81*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCT040HU65G3AG, VDSS 800 V, ID 10 A, Cinta y carrete (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Tipo de Encapsulado = Cinta y carrete Tipo de Montaje = Montaje superficial Modo de Canal = Mejora
ST Microelectronics
SCT040HU65G3AG
a partir de € 11,91*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 20A Resistencia en estado de transferencia: 0,2Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 147...
WAYON
WMJ26N65FD
a partir de € 1,87*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4, VDSS 1.200 V, ID 91 A, HiP247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 91 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = HiP247-4 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines =...
ST Microelectronics
SCTWA70N120G2V-4
a partir de € 71,68*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: SMD Carcasa: TO252 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 9A Resistencia en estado de transferencia: 0,54Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 63W P...
WAYON
WMO11N60C2
a partir de € 0,40*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM SP8M6HZGTB, VDSS 30 V, ID 3,5 A, 5 A, SOP de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N, P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3,5 A, 5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = SP8M5 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxi...
ROHM Semiconductor
SP8M6HZGTB
a partir de € 0,83*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 20A Resistencia en estado de transferencia: 0,19Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 14...
WAYON
WMJ26N65C2
a partir de € 1,93*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 13A; 130W; TO251 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO251 Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 13A Resistencia en estado de transferencia: 0,48Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 130W...
WAYON
WMP13N80M3
a partir de € 0,64*
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