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  MOSFET  (25.087 ofertas entre 5.752.275 artículos)

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NEXPERIA PSMN1R0-40YSHX MOSFET, CANAL N, 40V, 290A, LFPAK56E (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 850 µohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaje ...
Nexperia
PSMN1R0-40YSHX
a partir de € 1,28*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMZ120R030M1HXKSA1, VDSS 1.200 V, ID 56 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 56 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = IMZ1 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Máx...
Infineon
IMZ120R030M1HXKSA1
€ 9,841*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN017-80BS,118 MOSFET, CANAL N, 80V, 50A, TO-263 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0137 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...
Nexperia
PSMN017-80BS,118
a partir de € 0,53*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IGT60R190D1SATMA1, VDSS 600 V, ID 12,5 A, HSOF-8 de 8 pines (2 ofertas) 
Infineon Design de Cool MOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie MO...
Infineon
IGT60R190D1SATMA1
a partir de € 7,92*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN1R2-55SLHAX MOSFET, CANAL N, 55V, 330A, 375W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 810 µohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaje ...
Nexperia
PSMN1R2-55SLHAX
a partir de € 2,84*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 140A Resistencia en estado de transferencia: 18mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 830W ...
IXYS
IXFK140N20P
a partir de € 9,72*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN025-100HSX MOSFET, CANAL N, 100V, 29.5A, LFPAK56D (1 oferta) 
Tipo de Canal Canal N Disipación de Potencia Canal N 68 W Disipación de Potencia Canal P 68 W Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor LFPAK56D Calificación - Sustancia ...
Nexperia
PSMN025-100HSX
a partir de € 0,796*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMW65R048M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 39 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 39 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = CoolSiC Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Má...
Infineon
IMW65R048M1HXKSA1
a partir de € 5,762*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN1R5-40YSDX MOSFET, CANAL N, 40V, 240A, 175°C, 238W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0013 ohm Gama de Producto - Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N C...
Nexperia
PSMN1R5-40YSDX
a partir de € 0,821*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMZ120R060M1HXKSA1, VDSS 1.200 V, PG-TO247-4 (1 oferta) 
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = PG-TO247-4 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IMZ120R060M1HXKSA1
a partir de € 7,901*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 230A Resistencia en estado de transferencia: 7,5mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 1670...
IXYS
IXFK230N20T
a partir de € 17,00*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN026-80YS,115 MOSFET, N CH, 80V, 34A, SOT669 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Corriente de Drenaje Continua Id 34 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor SOT-669 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 80 V Disipación de Po...
Nexperia
PSMN026-80YS,115
a partir de € 0,24*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 250mA; Idm: 2A; 1W; TO92 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaje: THT Carcasa: TO92 Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 0,25A Resistencia en estado de transferencia: 6Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder d...
Microchip Technology
TN0620N3-G
a partir de € 1,22*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN1R6-25YLEX MOSFET, CANAL N, 30V, 185A, SOT-669 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00168 ohm Gama de Producto - Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N ...
Nexperia
PSMN1R6-25YLEX
a partir de € 0,649*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMBF170R650M1XTMA1, VDSS 1700 V, ID 7,4 A, TO-263-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1700 V Serie = IMBF1 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Dre...
Infineon
IMBF170R650M1XTMA1
€ 2.107,00*
por 1.000 unidades
 
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