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  MOSFET  (25.181 ofertas entre 5.804.574 artículos)

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NEXPERIA PMV164ENEAR MOSFET AEC-Q101 CANAL N 60V 1.6A 0.64W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.164 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...
Nexperia
PMV164ENEAR
a partir de € 0,3975*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 32A; 960W; PLUS247™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: PLUS247™ Tensión drenaje-fuente: 1kV Corriente del drenaje: 32A Resistencia en estado de transferencia: 0,32Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 960...
IXYS
IXFX32N100P
a partir de € 14,91*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMV19XNEAR MOSFET AEC-Q101 CANAL N 30V 6A 0.61W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.019 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...
Nexperia
PMV19XNEAR
a partir de € 0,555*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IMW65R048M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 39 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 39 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = CoolSiC Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Má...
Infineon
IMW65R048M1HXKSA1
a partir de € 5,762*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO264 Tiempo de disponibilidad: 100ns Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 120A Resistencia en estado de transferencia: 22mΩ Tipo de transistor...
IXYS
IXFK120N20P
a partir de € 8,67*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMV28ENER MOSFET, CANAL N, 30V, 4.4A, SOT-23 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.028 ohm Gama de Producto Trench Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 P...
Nexperia
PMV28ENER
a partir de € 0,53*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IMBF170R650M1XTMA1, VDSS 1700 V, ID 7,4 A, TO-263-7 de 7 pines (1 oferta) 
El MOSFET Infineon CoolSiC™ 1700 V, 650 mΩ SiC en un encapsulado de separación alta TO-263-7 está optimizado para topologías de retorno que se utilizan en fuentes de alimentación auxiliares conecta...
Infineon
IMBF170R650M1XTMA1
a partir de € 3,629*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IMW120R040M1HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 55 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 55 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 ...
Infineon
IMW120R040M1HXKSA1
€ 2.000,88*
por 240 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 17ns Tensión drenaje-fuente: 1kV Corriente del drenaje: 3A Resistencia en estado de transferencia: 5,5Ω Tipo de transistor: ...
IXYS
IXTP3N100D2
a partir de € 1,84*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMV30XPAR MOSFET, CANAL P, 20V, 4.9A, 175°C, 0.61W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 8 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.025 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...
Nexperia
PMV30XPAR
a partir de € 0,422*
por 5 unidades
 
 envase
Infineon IAUT240N08S5N019 transistore 80 V (1 oferta)
Infineon
IAUT240N08S5N019ATMA1
€ 2.698,00*
por 2.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 250mA; Idm: 2A; 1W; TO92 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaje: THT Carcasa: TO92 Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 0,25A Resistencia en estado de transferencia: 6Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder d...
Microchip Technology
TN0620N3-G
a partir de € 1,22*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMW65R072M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 26 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 26 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = CoolSiC Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Má...
Infineon
IMW65R072M1HXKSA1
a partir de € 6,099*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FQB19N20LTM MOSFET, N-CH, 200V, 21A, TO-263AB-2 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.11 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 2 Pines Montaje ...
onsemi
FQB19N20LTM
a partir de € 0,636*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMV35EPER MOSFET, CANAL N, 30V, 4.2A, TO-236AB (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.035 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...
Nexperia
PMV35EPER
a partir de € 0,81*
por 5 unidades
 
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